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STripFET(TM) VI DeepGATE（TM)ファミリの最初の製品は、
PowerFLAT（TM)パッケージ（5x6mm）でRDS(ON)1.6mΩ（typ）を達成し、
パワー・コンバータの電力効率を大幅に向上


パワー半導体において世界をリードするSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：
STM、以下ST）は、2mΩ（最大値）という低オン抵抗を実現し、コンピュータ、
通信、ネットワーク機器等の電力効率を向上させる、表面実装型パワー・
トランジスタ（30V）の新シリーズを発表しました。

STは、高いセル密度を実現する最新世代のSTripFET（TM)VI DeepGATE（TM)
プロセスを採用することにより、有効チップ・サイズに対して業界で最も優れた
RDS(ON)を達成しました。これは、前世代と比較すると約20％の改善に相当し、
スイッチング・レギュレータやDC-DCコンバータに小型の表面実装型パワー・
パッケージを使用することが可能になります。また、ゲート電荷量が低いため、
設計者は高いスイッチング周波数を使用することが可能になり、より小型の
受動部品（インダクタ、コンデンサ等）を採用することができます。

さらに、SO-8/DPAK/PowerFLAT（TM)（5x6mm）/PowerFLAT（TM)（3.3x3.3mm）
/PolarPAK（R)/スルーホールIPAK/SOT23-6Lを含む、幅広い業界標準パッケージ
を用意しており、既存のパッド/端子レイアウトを変更することなく、電力効率
および出力密度の改善を実現することができます。そのため、STのSTripFET VI
DeepGATEファミリは、市場機会を最大化することができます。

この新プロセスを採用した最初のデバイスの1つであるSTL150N3LLH6は、
PowerFLATパッケージ（5x6mm）に搭載され、面積当り最も優れたRDS(ON)*を
実現しています。また、DPAKパッケージに搭載されるSTD150N3LLH6のRDS
(ON)は2.4mΩです。

現在、両デバイス共、サンプル提供中で、量産開始は2009年6月の予定です。
単価は、約2500個購入時にSTD150N3LLH6が約1.20ドル、STL150N3LLH6が
約1.50ドルです。

PolarPAK（R)は、VISHAY/SILICONIX社の登録商標です。