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54Mバイト/秒のデータ書換えが可能な8MビットQuad SPI FRAMを開発
[22/01/18]
提供元：PRTIMES
提供元：PRTIMES
〜 高温環境での高速動作を実現した産業用コンピューティング向け不揮発性メモリ 〜
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、当社のSPIインターフェースのFRAM製品では最大メモリ容量となる8MビットQuad SPI FRAM「MB85RQ8MLX」のサンプル提供を今月から開始しました。
[画像1: https://prtimes.jp/i/48514/6/resize/d48514-6-a72fed6cd9190386a43a-0.jpg ]
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/fram/device/qspi-8m-mb85rq8mlx.html
本製品は、105℃の高温環境下においても最大108MHz動作によって54Mバイト/秒での高速データ書換えを実現する不揮発性メモリです。高速でのデータ書換えが要求されるPLC, HMI, RAIDコントローラなどの産業用コンピューティング、データセンター、そして高性能コンピューティング(HPC)用途に最適です。
[画像2: https://prtimes.jp/i/48514/6/resize/d48514-6-ae7dc8113de249655409-1.jpg ]
本製品は、1.7V〜1.95Vの低電源電圧で動作する、8Mビットの不揮発性メモリです。50MHzで動作するSPIインターフェースのFRAM製品は6.25Mバイト/秒のデータ転送速度ですが、このQuad SPIインターフェースのMB85RQ8MLXは4ビットの入出力ピンと108MHzの動作周波数によって、その8倍以上となる最大54Mバイト/秒でのデータ書込みが可能です。これは、新聞紙40ページ分のテキスト文を0.02秒でメモリに書き込む速さに相当します。
本製品の使用を想定している産業用コンピューティングでは、高速でのデータ処理によって動作中は周囲温度が高くなるため、搭載される電子部品は高温環境での動作保証が必要です。MB85RQ8MLXの最大動作温度は一般品の85℃から105℃に拡張しているため、産業機器向けに最適です。さらに、当社は本製品に加えて、3.3V（2.7V〜3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FRAMも開発中です。
もし、お客様がバッテリーバックアップSRAMをバッファ用途に使用している場合には、本製品に置き換えることでバッテリーの削減が可能になります。また、FRAMはフラッシュメモリやEEPROMといった不揮発性メモリと比べて「高速書込み」、「高書換え耐性」、「低消費電力」の特長で優位性をもつ不揮発性メモリです。フラッシュメモリ、EEPROMおよび低消費電力SRAMをご使用中のお客様が、以下のような課題をお持ちの場合には、当社のFRAMによって解決できる場合があります。
[画像3: https://prtimes.jp/i/48514/6/resize/d48514-6-3a7398886650cddd83b1-2.jpg ]
１）フラッシュメモリをご使用の場合
課 題： メモリの書換え回数制限のため、プログラムの開発工数の負担が大きい
解決案： 高書換え耐性のFRAMにより、ウェアレベリングの開発工数が不要
２）EEPROMをご使用の場合
課 題： データの書込み時間が長い
解決案： 高速動作のFRAMにより、データ書込み時間の短縮が可能
３）SRAMをご使用の場合
課 題： バッテリーの使用によりコストが増える
解決案： 54MB/秒の転送速度をもつFRAMへの置き換えで、バッテリー削減が可能
今回、MB85RQ8MLXの開発により、8Mビットの容量をもつ当社のメモリ製品は3種類になりました。
お客様のアプリケーションは多岐に渡るため、メモリ容量が同じでも必要とする特長はそれぞれ違います。そのような多様な要求に応えた結果として、3種類の8Mビットメモリ製品を提供しています。
当社は、今後ともお客様のアプリケーションの機能を向上させるためのメモリ開発を続けていきます。
[画像4: https://prtimes.jp/i/48514/6/resize/d48514-6-6b8bb4118c533d179c4b-3.jpg ]
主な仕様
・製品名： MB85RQ8MLX
・容量(メモリ構成)： 8Mビット（1M x 8ビット）
・インターフェース： SPIインターフェース（SPI, Dual SPI, Quad SPI）
・動作電源電圧： 1.7V〜1.95V
・動作温度範囲： -40℃〜＋105℃
・書込み/読出し保証回数： 10兆回
・パッケージ： 16ピンSOP
・低消費電力： 動作電流(最大) 18mA
スタンバイ電流(最大) 180µA
関連リンク
・富士通セミコンダクターメモリソリューション・トップページ
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/
・8MビットFRAM「MB85RQ8MLX」製品紹介ページ
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/fram/device/qspi-8m-mb85rq8mlx.html
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、当社のSPIインターフェースのFRAM製品では最大メモリ容量となる8MビットQuad SPI FRAM「MB85RQ8MLX」のサンプル提供を今月から開始しました。
[画像1: https://prtimes.jp/i/48514/6/resize/d48514-6-a72fed6cd9190386a43a-0.jpg ]
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/fram/device/qspi-8m-mb85rq8mlx.html
本製品は、105℃の高温環境下においても最大108MHz動作によって54Mバイト/秒での高速データ書換えを実現する不揮発性メモリです。高速でのデータ書換えが要求されるPLC, HMI, RAIDコントローラなどの産業用コンピューティング、データセンター、そして高性能コンピューティング(HPC)用途に最適です。
[画像2: https://prtimes.jp/i/48514/6/resize/d48514-6-ae7dc8113de249655409-1.jpg ]
本製品は、1.7V〜1.95Vの低電源電圧で動作する、8Mビットの不揮発性メモリです。50MHzで動作するSPIインターフェースのFRAM製品は6.25Mバイト/秒のデータ転送速度ですが、このQuad SPIインターフェースのMB85RQ8MLXは4ビットの入出力ピンと108MHzの動作周波数によって、その8倍以上となる最大54Mバイト/秒でのデータ書込みが可能です。これは、新聞紙40ページ分のテキスト文を0.02秒でメモリに書き込む速さに相当します。
本製品の使用を想定している産業用コンピューティングでは、高速でのデータ処理によって動作中は周囲温度が高くなるため、搭載される電子部品は高温環境での動作保証が必要です。MB85RQ8MLXの最大動作温度は一般品の85℃から105℃に拡張しているため、産業機器向けに最適です。さらに、当社は本製品に加えて、3.3V（2.7V〜3.6V）で動作する8MビットQuad SPI FRAMも開発中です。
もし、お客様がバッテリーバックアップSRAMをバッファ用途に使用している場合には、本製品に置き換えることでバッテリーの削減が可能になります。また、FRAMはフラッシュメモリやEEPROMといった不揮発性メモリと比べて「高速書込み」、「高書換え耐性」、「低消費電力」の特長で優位性をもつ不揮発性メモリです。フラッシュメモリ、EEPROMおよび低消費電力SRAMをご使用中のお客様が、以下のような課題をお持ちの場合には、当社のFRAMによって解決できる場合があります。
[画像3: https://prtimes.jp/i/48514/6/resize/d48514-6-3a7398886650cddd83b1-2.jpg ]
１）フラッシュメモリをご使用の場合
課 題： メモリの書換え回数制限のため、プログラムの開発工数の負担が大きい
解決案： 高書換え耐性のFRAMにより、ウェアレベリングの開発工数が不要
２）EEPROMをご使用の場合
課 題： データの書込み時間が長い
解決案： 高速動作のFRAMにより、データ書込み時間の短縮が可能
３）SRAMをご使用の場合
課 題： バッテリーの使用によりコストが増える
解決案： 54MB/秒の転送速度をもつFRAMへの置き換えで、バッテリー削減が可能
今回、MB85RQ8MLXの開発により、8Mビットの容量をもつ当社のメモリ製品は3種類になりました。
お客様のアプリケーションは多岐に渡るため、メモリ容量が同じでも必要とする特長はそれぞれ違います。そのような多様な要求に応えた結果として、3種類の8Mビットメモリ製品を提供しています。
当社は、今後ともお客様のアプリケーションの機能を向上させるためのメモリ開発を続けていきます。
[画像4: https://prtimes.jp/i/48514/6/resize/d48514-6-6b8bb4118c533d179c4b-3.jpg ]
主な仕様
・製品名： MB85RQ8MLX
・容量(メモリ構成)： 8Mビット（1M x 8ビット）
・インターフェース： SPIインターフェース（SPI, Dual SPI, Quad SPI）
・動作電源電圧： 1.7V〜1.95V
・動作温度範囲： -40℃〜＋105℃
・書込み/読出し保証回数： 10兆回
・パッケージ： 16ピンSOP
・低消費電力： 動作電流(最大) 18mA
スタンバイ電流(最大) 180µA
関連リンク
・富士通セミコンダクターメモリソリューション・トップページ
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/
・8MビットFRAM「MB85RQ8MLX」製品紹介ページ
https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/fram/device/qspi-8m-mb85rq8mlx.html
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