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オン・セミコンダクター、SiCベースのハイブリッドIGBTと絶縁型大電流IGBTゲートドライバを 「PCIM Europe 2019」で紹介
[19/05/08]
提供元：PRTIMES
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堅牢な電源アプリケーション向けハイブリッドIGBTデバイスと、クラス最高の電流性能・保護機能を提供する幅広いIGBTドライバを中心に展示
[画像: https://prtimes.jp/i/35474/56/resize/d35474-55-206002-1.jpg ]
高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター（本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）は、ドイツのニュルンベルクで2019年5月7日から開催されている「PCIM Europe 2019」において、新製品のシリコンカーバイド（silicon-carbide, SiC）ベースのハイブリッドIGBTと、関連する絶縁型大電流IGBTゲートドライバを発表し、展示しています。
新製品のハイブリッドIGBTデバイスAFGHL50T65SQDCは、最新のフィールドストップIGBTとSiCショットキダイオード技術を使用しており、トーテムポールベースのブリッジレス力率改善（PFC）やインバータなど、逆回復損失低減によるメリットを得るような複数の電力アプリケーションで、低伝導損失および低スイッチング損失を実現します 。
AFGHL50T65SQDCは、シリコンベースのIGBTとSiCショットキーバリアダイオードを同一パッケージに搭載し、低性能なシリコンベースのソリューションと全体的に高コストなSiCベースのソリューションとの間で、優れたトレードオフをもたらします。 この高性能なデバイスは、定格650 Vで動作し、最大100 A @ 25°C（50 A @ 100°C）の連続電流、および最大200 Aのパルス電流を取り扱えます。 より大きな電流能力を必要とするシステム向けに、正の温度係数による、容易で利便性の高い並列動作が可能です。
現代の電気自動車アプリケーションは、走行のためにエネルギーを使用するだけでなく、場合によってはエネルギーを蓄えて、ピーク時に家に電力を供給するために使用されることも考えられます。このために必要な双方向の充電器は、変換中にエネルギーが浪費されないように、高効率のスイッチングが必須です。このユースケースでは、関連する順方向または逆方向回復損失がないため、外部SiCダイオードを使用したIGBTはMOSFETソリューションよりもはるかに効率的です。
AFGHL50T65SQDCは最大175℃の接合部温度で動作でき、自動車を含む最も要求の厳しい電源アプリケーションに適しています。 AEC-Q101規格に対して完全に認定を受けており、車載EVおよびHEV充電器での使用に適していることをさらに示しています。
上記のハイブリッドIGBTと併せて、オン・セミコンダクターは「PCIM」展で同じく新製品の絶縁型大電流IGBTドライバNCD(V)57000 シリーズも発表しています。NCD（V）57000シリーズは、ソーラーインバータ、モータードライブ、無停電電源システム（UPS）、およびパワートレインやPTCヒーターなどの自動車用アプリケーションを含む複数の電源アプリケーションを対象としています。
NCD（V）57000シリーズは、内部にガルバニック耐絶縁を備えた大電流シングルチャネルIGBTドライバで、高い信頼性を要求する電力アプリケーションにおいて高効率に動作するように設計されています。これらのデバイスは、コンプリメンタリ入力、オープンドレインのフォルトおよびレディ出力、アクティブミラークランプ、高精度UVLO (Under Voltage Lock Out：低電圧誤動作防止機能)、ソフトターンオフ付きDESAT保護、負ゲート電圧ピン、システム設計の柔軟性を高める独立したハイとローのドライバ出力を備えています。
ガルバニック絶縁の定格は5 kVrmsを超え、UL 1577の要件を満たしています。 絶縁の動作電圧は1200 V以上です。 またこれらのデバイスは、8 mmの沿面距離（入力>出力）を保証しており、強化された耐絶縁の要件を満たします。NCD（V）57000デバイスは7.8 Aの駆動電流と7.1 Aのシンク電流を供給できます。これは一部の競合他社製品の3倍以上の能力です。 さらに重要な点は、このデバイスがミラープラトーにおいて動作している間、より大きな電流能力を有している点です。これにより、自らの高度な保護機能と組み合わされることでクラス最高のIGBTドライバになります。
オン・セミコンダクターについて
オン・セミコンダクター（Nasdaq: ON）は、お客様にグローバルな省エネルギーを実現していただけるよう、高効率エネルギーへのイノベーションをリードしてまいります。オン・セミコンダクターは半導体をベースにしたソリューションのリーディング・サプライヤーで、エネルギー効率の高い、電力管理、アナログ、センサ、ロジック、タイミング、コネクティビティ、ディスクリート、SoCおよびカスタム・デバイスの包括的なポートフォリオを提供しています。オン・セミコンダクターの製品は、自動車、通信、コンピューティング、民生機器、産業用機器、医療機器、航空宇宙、防衛のアプリケーションにおける特有な設計上の課題を解決します。オン・セミコンダクターは、北米、ヨーロッパ、およびアジア太平洋地域の主要市場で、製造工場、営業所、デザイン・センターのネットワークを運営しています。迅速な対応、信頼性、世界クラスのサプライチェーンと品質保証プログラム、厳格な企業倫理とコンプライアンスを備え、お客様のご要望にお応えしていきます。詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。
• Twitterで @onsemi_jp をフォローしてください。
オン・セミコンダクターおよびオン・セミコンダクターのロゴは、Semiconductor Components Industries, LLCの登録商標です。本ドキュメントに記載されている、それ以外のブランド名および製品名はすべて、各所有者の登録商標または商標です。オン・セミコンダクターは、本ニュースリリースで同社Webサイトを参照していますが、Webサイト上の情報はここには記載されていません。
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高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター（本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）は、ドイツのニュルンベルクで2019年5月7日から開催されている「PCIM Europe 2019」において、新製品のシリコンカーバイド（silicon-carbide, SiC）ベースのハイブリッドIGBTと、関連する絶縁型大電流IGBTゲートドライバを発表し、展示しています。
新製品のハイブリッドIGBTデバイスAFGHL50T65SQDCは、最新のフィールドストップIGBTとSiCショットキダイオード技術を使用しており、トーテムポールベースのブリッジレス力率改善（PFC）やインバータなど、逆回復損失低減によるメリットを得るような複数の電力アプリケーションで、低伝導損失および低スイッチング損失を実現します 。
AFGHL50T65SQDCは、シリコンベースのIGBTとSiCショットキーバリアダイオードを同一パッケージに搭載し、低性能なシリコンベースのソリューションと全体的に高コストなSiCベースのソリューションとの間で、優れたトレードオフをもたらします。 この高性能なデバイスは、定格650 Vで動作し、最大100 A @ 25°C（50 A @ 100°C）の連続電流、および最大200 Aのパルス電流を取り扱えます。 より大きな電流能力を必要とするシステム向けに、正の温度係数による、容易で利便性の高い並列動作が可能です。
現代の電気自動車アプリケーションは、走行のためにエネルギーを使用するだけでなく、場合によってはエネルギーを蓄えて、ピーク時に家に電力を供給するために使用されることも考えられます。このために必要な双方向の充電器は、変換中にエネルギーが浪費されないように、高効率のスイッチングが必須です。このユースケースでは、関連する順方向または逆方向回復損失がないため、外部SiCダイオードを使用したIGBTはMOSFETソリューションよりもはるかに効率的です。
AFGHL50T65SQDCは最大175℃の接合部温度で動作でき、自動車を含む最も要求の厳しい電源アプリケーションに適しています。 AEC-Q101規格に対して完全に認定を受けており、車載EVおよびHEV充電器での使用に適していることをさらに示しています。
上記のハイブリッドIGBTと併せて、オン・セミコンダクターは「PCIM」展で同じく新製品の絶縁型大電流IGBTドライバNCD(V)57000 シリーズも発表しています。NCD（V）57000シリーズは、ソーラーインバータ、モータードライブ、無停電電源システム（UPS）、およびパワートレインやPTCヒーターなどの自動車用アプリケーションを含む複数の電源アプリケーションを対象としています。
NCD（V）57000シリーズは、内部にガルバニック耐絶縁を備えた大電流シングルチャネルIGBTドライバで、高い信頼性を要求する電力アプリケーションにおいて高効率に動作するように設計されています。これらのデバイスは、コンプリメンタリ入力、オープンドレインのフォルトおよびレディ出力、アクティブミラークランプ、高精度UVLO (Under Voltage Lock Out：低電圧誤動作防止機能)、ソフトターンオフ付きDESAT保護、負ゲート電圧ピン、システム設計の柔軟性を高める独立したハイとローのドライバ出力を備えています。
ガルバニック絶縁の定格は5 kVrmsを超え、UL 1577の要件を満たしています。 絶縁の動作電圧は1200 V以上です。 またこれらのデバイスは、8 mmの沿面距離（入力>出力）を保証しており、強化された耐絶縁の要件を満たします。NCD（V）57000デバイスは7.8 Aの駆動電流と7.1 Aのシンク電流を供給できます。これは一部の競合他社製品の3倍以上の能力です。 さらに重要な点は、このデバイスがミラープラトーにおいて動作している間、より大きな電流能力を有している点です。これにより、自らの高度な保護機能と組み合わされることでクラス最高のIGBTドライバになります。
オン・セミコンダクターについて
オン・セミコンダクター（Nasdaq: ON）は、お客様にグローバルな省エネルギーを実現していただけるよう、高効率エネルギーへのイノベーションをリードしてまいります。オン・セミコンダクターは半導体をベースにしたソリューションのリーディング・サプライヤーで、エネルギー効率の高い、電力管理、アナログ、センサ、ロジック、タイミング、コネクティビティ、ディスクリート、SoCおよびカスタム・デバイスの包括的なポートフォリオを提供しています。オン・セミコンダクターの製品は、自動車、通信、コンピューティング、民生機器、産業用機器、医療機器、航空宇宙、防衛のアプリケーションにおける特有な設計上の課題を解決します。オン・セミコンダクターは、北米、ヨーロッパ、およびアジア太平洋地域の主要市場で、製造工場、営業所、デザイン・センターのネットワークを運営しています。迅速な対応、信頼性、世界クラスのサプライチェーンと品質保証プログラム、厳格な企業倫理とコンプライアンスを備え、お客様のご要望にお応えしていきます。詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。
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オン・セミコンダクターおよびオン・セミコンダクターのロゴは、Semiconductor Components Industries, LLCの登録商標です。本ドキュメントに記載されている、それ以外のブランド名および製品名はすべて、各所有者の登録商標または商標です。オン・セミコンダクターは、本ニュースリリースで同社Webサイトを参照していますが、Webサイト上の情報はここには記載されていません。
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