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フリースケール、TD-LTE基地局向けの6種の 新しいAirfast RFパワー・ソリューションを発表
[13/06/10]
提供元：PRTIMES
提供元：PRTIMES
2.3/2.6GHz帯のTD-LTE向けに比類のないゲインとリニアリティを実現し、 メトロセル/マクロセル・アプリケーションをサポートする最新RFトランジスタ
フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン株式会社(本社:東京都目黒区下目黒1-8-1、代表取締役社長:ディビッド M. ユーゼ、以下 フリースケール)は、2.3/2.6GHz周波数帯域のTD-LTE基地局向けに設計された6種の新しいAirfast （エア・ファスト）RFパワー・ソリューションを発表しました。
高スループット性能を備え、大量のユーザを同時にサポートできるこの新ソリューションにより、2.3/2.6GHz周波数帯域が世界的にLTEにとって推奨されるべき周波数帯域となります。昨年末に中国政府がTD-LTE技術に対して2.3/2.6GHz周波数帯域を割り当てることを発表しており、この市場は大きく成長すると見込まれています。
フリースケールの最新Airfastトランジスタは、比類のない帯域幅とリニア効率を小型サイズで実現し、世界中でTD-LTEネットワークの迅速な展開を牽引するよう設計されています。50〜200Wの幅広い出力のラインナップが揃っており、メトロセル/マクロセル・アプリケーション向けソリューションが実現します。
フリースケールの上席副社長兼RFディビジョン担当ジェネラル・マネージャであるリトゥ・ファブレは、次のように述べています。「フリースケールは、2.3/2.6GHz周波数帯域の展開されるタイミングと重要性をこれまで正確に予測しており、高性能なAirfast製品の開発を進めてきました。新しいRFパワー・ソリューションはすでに出荷を開始しており、世界中のTD-LTEネットワーク展開を加速しています。」
フリースケールは、フェムトセルからマクロセルまで、幅広い基地局アプリケーションに対応するシステムレベルの基地局ソリューションを提供しており、今回の最新製品もその中に位置付けられます。Airfast RFパワー・ソリューションに加え、フリースケールでは、幅広いRF GaAs MMIC、包括的なQorIQ Qonverge（コア・アイキュー コンバージ）プラットフォームを用意しており、共通のアーキテクチャをベースとしつつ、小型セルから大型セルまで、さまざまな基地局に対応する高度な拡張性を備えた基地局プロセッサ・ポートフォリオを実現しています。QorIQ Qonvergeプラットフォームを採用することで、セル・サイズにかかわらず、ソフトウェアを再利用することができます。
製品情報
2.6GHz LTEバンド向けの4種の新しいAirfast RFトランジスタ製品は、インパッケージのドハティ・デバイスで、小型サイズで高い効率性を実現します。
・AFT26HW050S/GS：2496〜2690MHz帯域のメトロセル基地局アプリケーション向け。非対称ドハティ構成で、47.4dBmのピーク出力を実現。9Wの平均消費電力、47.1％の効率、14.2dBのゲイン。
・AFT26P100-4WS：2496〜2690MHz帯域の高出力メトロセル基地局アプリケーション向け。対称ドハティ構成で、51dBmのピーク出力を実現。22Wの平均消費電力、43.9％の効率、15.3dBのゲイン。
・AFT26H160-4S4：2496〜2690MHz帯域の中出力マクロセル基地局アプリケーション向け。非対称ドハティ構成で、52.6dBmのピーク出力を実現。32Wの平均消費電力、44.4％の効率、15.7dBのゲイン。
・AFT26H200W03S：2496〜2690MHz帯域の高出力マクロセル基地局アプリケーション向け。非対称ドハティ構成で、54.6dBmのピーク出力を実現。45Wの平均消費電力、44.4％の効率、14.0dBのゲイン。
2.3GHz LTEバンド向けの2種の新しいAirfast RFトランジスタ製品は、インパッケージ・ドハティ・デバイスで、小型サイズで高い効率を実現します。
・AFT23H200-4S2L：2300〜2400MHzセルラー・バンドの高出力マクロセル基地局アプリケーション向け。非対称ドハティ構成で、54.6dBmのピーク出力を実現。45Wの平均消費電力、42.8％の効率、15.3dBのゲイン。
・AFT23S170-13S：ドハティ型アンプのメイン/ピーク・トランジスタとして使用可能。クラスAB動作、45Wの平均消費電力、33.9％の効率、18.8dBのゲイン。
Airfast RFパワー・ソリューションについて
Airfast RFパワー・ソリューションは、効率性やピーク出力、信号帯域幅の向上を求めるニーズを満たしつつ、コスト削減という絶え間ないプレッシャーにも対応します。比類のない性能とエネルギー効率を備えており、LDMOS、GaAs、GaNといったフリースケールの広範なRF技術の一翼を担います。
価格と供給
AFT26HW050S/GS、AFT26P100-4WS、AFT23H200-4S2L、AFT23S170-13Sは、現在出荷中です。AFT26H200W03SとAFT26H160-4S4は、2013年6月末に量産出荷を開始する予定です。価格やサンプルの詳細については、フリースケール・セミコンダクタまたはお近くの販売代理店にお尋ねください。フリースケールのRFパワーLDMOSソリューションの詳細については、www.freescale.com/RFpowerのWebサイトをご覧ください。
フリースケール・セミコンダクタについて
フリースケール・セミコンダクタ(NYSE:FSL)は、先進の自動車、民生、産業、およびネットワーク市場において、業界を牽引する製品を提供する組込みプロセッシング・ソリューションの世界的リーダーです。マイクロプロセッサ、およびマイクロコントローラ、センサ、アナログ製品やコネクティビティといった私たちの技術は、世界中の環境、安全、健康を向上させ、そしてそれらをよりつなげるイノベーションの基盤となります。また、オートモーティブ・セーフティ、ハイブリッドや電気自動車、次世代のワイヤレス・インフラストラクチャ、スマートエナジー、ポータブル医療機器、家電やスマート・モバイル製品といったアプリケーション向けの製品を提供しています。フリースケールは、テキサス州オースチンを本拠地に、世界各国で半導体のデザイン、研究開発、製造ならびに営業活動を行っています。詳細は、http://www.freescale.com/jaをご覧ください。
FreescaleならびにFreescaleのロゴマーク、およびFreescale Semiconductor Inc., Reg. U.S. Pat. & Tm. Off.の商標、または登録商標です。文中に記載されている他社の製品名、サービス名等はそれぞれ各社の商標です。
(C)2013Freescale Semiconductor, Inc.
フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン株式会社(本社:東京都目黒区下目黒1-8-1、代表取締役社長:ディビッド M. ユーゼ、以下 フリースケール)は、2.3/2.6GHz周波数帯域のTD-LTE基地局向けに設計された6種の新しいAirfast （エア・ファスト）RFパワー・ソリューションを発表しました。
高スループット性能を備え、大量のユーザを同時にサポートできるこの新ソリューションにより、2.3/2.6GHz周波数帯域が世界的にLTEにとって推奨されるべき周波数帯域となります。昨年末に中国政府がTD-LTE技術に対して2.3/2.6GHz周波数帯域を割り当てることを発表しており、この市場は大きく成長すると見込まれています。
フリースケールの最新Airfastトランジスタは、比類のない帯域幅とリニア効率を小型サイズで実現し、世界中でTD-LTEネットワークの迅速な展開を牽引するよう設計されています。50〜200Wの幅広い出力のラインナップが揃っており、メトロセル/マクロセル・アプリケーション向けソリューションが実現します。
フリースケールの上席副社長兼RFディビジョン担当ジェネラル・マネージャであるリトゥ・ファブレは、次のように述べています。「フリースケールは、2.3/2.6GHz周波数帯域の展開されるタイミングと重要性をこれまで正確に予測しており、高性能なAirfast製品の開発を進めてきました。新しいRFパワー・ソリューションはすでに出荷を開始しており、世界中のTD-LTEネットワーク展開を加速しています。」
フリースケールは、フェムトセルからマクロセルまで、幅広い基地局アプリケーションに対応するシステムレベルの基地局ソリューションを提供しており、今回の最新製品もその中に位置付けられます。Airfast RFパワー・ソリューションに加え、フリースケールでは、幅広いRF GaAs MMIC、包括的なQorIQ Qonverge（コア・アイキュー コンバージ）プラットフォームを用意しており、共通のアーキテクチャをベースとしつつ、小型セルから大型セルまで、さまざまな基地局に対応する高度な拡張性を備えた基地局プロセッサ・ポートフォリオを実現しています。QorIQ Qonvergeプラットフォームを採用することで、セル・サイズにかかわらず、ソフトウェアを再利用することができます。
製品情報
2.6GHz LTEバンド向けの4種の新しいAirfast RFトランジスタ製品は、インパッケージのドハティ・デバイスで、小型サイズで高い効率性を実現します。
・AFT26HW050S/GS：2496〜2690MHz帯域のメトロセル基地局アプリケーション向け。非対称ドハティ構成で、47.4dBmのピーク出力を実現。9Wの平均消費電力、47.1％の効率、14.2dBのゲイン。
・AFT26P100-4WS：2496〜2690MHz帯域の高出力メトロセル基地局アプリケーション向け。対称ドハティ構成で、51dBmのピーク出力を実現。22Wの平均消費電力、43.9％の効率、15.3dBのゲイン。
・AFT26H160-4S4：2496〜2690MHz帯域の中出力マクロセル基地局アプリケーション向け。非対称ドハティ構成で、52.6dBmのピーク出力を実現。32Wの平均消費電力、44.4％の効率、15.7dBのゲイン。
・AFT26H200W03S：2496〜2690MHz帯域の高出力マクロセル基地局アプリケーション向け。非対称ドハティ構成で、54.6dBmのピーク出力を実現。45Wの平均消費電力、44.4％の効率、14.0dBのゲイン。
2.3GHz LTEバンド向けの2種の新しいAirfast RFトランジスタ製品は、インパッケージ・ドハティ・デバイスで、小型サイズで高い効率を実現します。
・AFT23H200-4S2L：2300〜2400MHzセルラー・バンドの高出力マクロセル基地局アプリケーション向け。非対称ドハティ構成で、54.6dBmのピーク出力を実現。45Wの平均消費電力、42.8％の効率、15.3dBのゲイン。
・AFT23S170-13S：ドハティ型アンプのメイン/ピーク・トランジスタとして使用可能。クラスAB動作、45Wの平均消費電力、33.9％の効率、18.8dBのゲイン。
Airfast RFパワー・ソリューションについて
Airfast RFパワー・ソリューションは、効率性やピーク出力、信号帯域幅の向上を求めるニーズを満たしつつ、コスト削減という絶え間ないプレッシャーにも対応します。比類のない性能とエネルギー効率を備えており、LDMOS、GaAs、GaNといったフリースケールの広範なRF技術の一翼を担います。
価格と供給
AFT26HW050S/GS、AFT26P100-4WS、AFT23H200-4S2L、AFT23S170-13Sは、現在出荷中です。AFT26H200W03SとAFT26H160-4S4は、2013年6月末に量産出荷を開始する予定です。価格やサンプルの詳細については、フリースケール・セミコンダクタまたはお近くの販売代理店にお尋ねください。フリースケールのRFパワーLDMOSソリューションの詳細については、www.freescale.com/RFpowerのWebサイトをご覧ください。
フリースケール・セミコンダクタについて
フリースケール・セミコンダクタ(NYSE:FSL)は、先進の自動車、民生、産業、およびネットワーク市場において、業界を牽引する製品を提供する組込みプロセッシング・ソリューションの世界的リーダーです。マイクロプロセッサ、およびマイクロコントローラ、センサ、アナログ製品やコネクティビティといった私たちの技術は、世界中の環境、安全、健康を向上させ、そしてそれらをよりつなげるイノベーションの基盤となります。また、オートモーティブ・セーフティ、ハイブリッドや電気自動車、次世代のワイヤレス・インフラストラクチャ、スマートエナジー、ポータブル医療機器、家電やスマート・モバイル製品といったアプリケーション向けの製品を提供しています。フリースケールは、テキサス州オースチンを本拠地に、世界各国で半導体のデザイン、研究開発、製造ならびに営業活動を行っています。詳細は、http://www.freescale.com/jaをご覧ください。
FreescaleならびにFreescaleのロゴマーク、およびFreescale Semiconductor Inc., Reg. U.S. Pat. & Tm. Off.の商標、または登録商標です。文中に記載されている他社の製品名、サービス名等はそれぞれ各社の商標です。
(C)2013Freescale Semiconductor, Inc.
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