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3次元で最大400gの衝撃を検知する新しい低消費電力加速度センサ
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エレクトロニクス分野の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的
半導体メーカーで、コンスーマ・携帯型機器向けMEMS
（Micro-Electro-Mechanical Systems）の主要サプライヤ(1)である
STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、3軸全てにおいて非常に
高い加速度を検出する超低消費電流のMEMSセンサを発表しました。STの加速度
センサH3LIS331DLは、自動車用ドライブ・レコーダから医療用モニタ装置および
スポーツ用品まで、スペースや消費電力に制限があるアプリケーションで、
最大400g(2)までの衝撃を正確に検知することができます。

高g衝撃を検知・測定するニーズは、幅広いアプリケーションに存在します。
既存の高g衝撃検知ソリューションは、多くが消費電力の大きい1軸 / 2軸の
「エアバッグ型」センサを使用しているのに対し、STの新しい高g加速度センサ
は、3軸での高い精度と、バッテリ駆動アプリケーションに最適化された
超低消費電流を実現しています。

低消費電力かつ高精度の高g衝撃検知デバイスは、携帯型医療機器や衝撃の
大きなスポーツ（アイス・ホッケー、アメリカン・フットボール、自動車レース
等）における衝撃モニタの新たな可能性を開きます。STの高g加速度センサに
より、ドライブ・レコーダや貨物監視システムの衝突監視能力を大幅に改善
できる他、家電製品の耐衝撃保護機能を強化することもできます。

3軸のモーション検知が可能な高g加速度センサは、±100 gから最大±400 gまで
の検出範囲を選択することができ、時間および温度に対する非常に優れた安定性
を実現しています。加速度データはデジタル信号（12bit）に変換された後、
標準プロトコル（SPIまたはI2C）に基づき、高い信頼性で専用マイクロ
コントローラに送信されます。

H3LIS331DLは、すでに数億個出荷され業界標準デバイスとなっている
加速度センサLIS331DLxの低消費電力インタフェースを搭載しています。

現在、STの高g加速度センサは入手可能で、2012年第2四半期末までに量産を開始
する予定です。単価は、1000個購入時に約5ドルです。大量購入時の価格に
ついては、お問い合わせください。

(1) IHS iSuppli社「H2 2011 Consumer and Mobile MEMS Market Tracker」
2012年2月
(2) 人間は、瞬間的に数百gの局所的な加速度に耐えることが可能ですが、
約10 gを超える加速度が持続した場合、致命的または回復不能な損傷に至る
ことがあります。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、Sense & Powerおよびマルチメディア・コンバージェンス分野の多種多様
なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。
エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアから
スマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や
遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍して
います。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」
の実現に取り組んでいます。2011年の売上は97.3億ドルでした。さらに詳しい
情報はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス（株）
アナログ・MEMS・パワー製品グループ
TEL: 03-5783-8250　FAX: 03-5783-8216