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STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、高度なトレンチゲート・フィールドストップ技術を採用した新しい1200V耐圧IGBTであるMシリーズを発表しました。同製品は、太陽光発電システム用インバータ、溶接機、無停電電源、産業用モータ等のアプリケーションにおいて、堅牢性と電力効率を大幅に向上させます。

この新しいIGBTは、導通特性とターンオフ特性が高度に最適化されている他、ターンオン損失を低く抑えており、ハードスイッチング回路（動作周波数 : 最大20kHz）に最適です。また、拡大された動作温度範囲（最高175℃）やラッチアップが発生しない安全動作領域（SOA）、10μsの短絡耐時間（150℃時）が、過酷な周辺環境や電気的環境における堅牢な性能を保証します。

Mシリーズが採用している第3世代技術には、トレンチゲート構造の最先端設計と最適化された高耐圧IGBTアーキテクチャが含まれています。これにより、スイッチオフ時の過電圧の最小化と振動の除去が可能になるため、電力損失の低減と回路設計簡略化につながります。また、低飽和電圧（Vce(sat)）が高い導電効率を実現します。Vce(sat)の正温度係数に関して、パラメータ分布のばらつきが非常に小さいため、耐電力特性を向上させる並列動作も簡単です。

さらに、Mシリーズは、ターンオン時の電力効率にも優れている他、IGBTと逆並列に同一パッケージ化する最新世代のダイオード技術により、ターンオン損失を極端に増加させることなく、高速かつ緩やかな逆回復特性を実現することで、EMI性能が大幅に向上しています。

現在、Mシリーズは量産中です。STGW40M120DF3（40A）、STGW25M120DF3（25A）およびSTGW15M120DF3（15A）はTO-247パッケージで、STGWA40M120DF3、STGWA25M120DF3およびSTGWA15M120DF3はTO-247（長リード）パッケージで提供されます。STGW15M120DF3の単価は、1000個購入時に約2.80ドルです。

詳細については、 http://www.st.com/igbt をご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング　ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2013年の売上は80.8億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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