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【JPIセミナー】「”次世代パワー半導体SiC”その最新技術動向とビジネスチャンス」2月7日(金)開催
[24/12/24]
提供元：PRTIMES
提供元：PRTIMES
ビジネスセミナーを企画開催するJPI（日本計画研究所）は、下記セミナーを開催します。
JPI（日本計画研究所）は、筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏を招聘し、「次世代パワー半導体SiC」その最新技術動向とビジネスチャンスについて詳説いただくセミナーを開催します。
[画像1: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/42328/1188/42328-1188-2a600aa6ddb3fb6381ed69b6e6cd096b-920x450.png?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
〔詳細・お申込みはこちら〕https://www.jpi.co.jp/seminar/17171
〔タイトル〕
「次世代パワー半導体SiC」その最新技術動向とビジネスチャンス
〔開催日時〕
2025年02月07日(金) 13:30 - 15:30
※セミナー開催終了後も、アーカイブ配信のお申し込みを受け付けております。
〔講師〕
筑波大学
数理物質系
教授
岩室 憲幸 氏
〔講義概要〕
2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展しており、もはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワー半導体は新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状はシリコンパワー半導体が、いまだ市場の主役に君臨している。これはとりもなおさず新材料パワー半導体デバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分こたえられていないことによる。
SiCパワー半導体が今後市場の要求にどうこたえていくのか、最新技術の現状と今後の動向について、わかりやすくかつ丁寧に詳説する。
〔講義項目〕
1．パワー半導体の基本
(1) 最強シリコンパワー半導体：強みと弱み
(2) 次世代パワー半導体開発の位置づけ
2. SiCパワー半導体の現状と課題
(1) なぜSiCが新材料パワー半導体でトップランナーなのか
(2) SiCパワー半導体コストダウンに向けた技術開発
１. ウェハ技術
２. デバイス技術
(3) SiCパワー半導体信頼性の重要課題：内蔵ダイオード順方向劣化
(4) SiCパワー半導体用実装技術の進展
3．関連質疑応答
4．名刺交換・交流会
■人脈形成・新規顧客開拓・新事業展開にお役立てください。
■ライブ配信受講の方も、会場の名刺交換終了後に講師と個別オンライン対話ができる時間を設けております。
〔受講方法〕
会場受講・ライブ配信・アーカイブ配信（2週間、何度でもご都合の良い時間にご視聴可）のいずれかからお選びいただけます。
〔受講料〕
1名：33,660円（税込）2名以降：28,660円 (社内・関連会社で同時お申し込みの場合)
普段交流の無い講師及び参加者間での名刺交換・交流会で人脈を広げ、事業拡大にお役立ていただいております。
〔詳細・お申込みはこちら〕https://www.jpi.co.jp/seminar/17171
◆セミナー終了後、講師へのご質問やお取り次ぎもさせていただいております。
◆講師やご参加者同士での人的ネットワークの構築や、新たなビジネスの創出に大変お役立ていただいております。
◆セミナー開催終了後も、アーカイブ配信のお申し込みを受け付けております。
【お問合せ】
[画像2: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/42328/1188/42328-1188-8ea1fce0592c455993b1b27d123860ef-230x230.png?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
株式会社日本計画研究所
〒106-0047東京都港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル
TEL.03-5793-9761 FAX.03-5793-9767
URL https://www.jpi.co.jp
【JPI（日本計画研究所）について】
[画像3: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/42328/1188/42328-1188-60c2b290a7ffce8c68884ab9c0423943-750x425.png?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
“「政」と「官」と「民」との知の懸け橋”として国家政策やナショナルプロジェクトの敷衍化を支え、国家知の創造を目指す幹部・上級管理職の事業遂行に有益な情報をご参加者を限定したリアルなセミナーという形で半世紀、提供し続けています。
JPI（日本計画研究所）は、筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏を招聘し、「次世代パワー半導体SiC」その最新技術動向とビジネスチャンスについて詳説いただくセミナーを開催します。
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〔詳細・お申込みはこちら〕https://www.jpi.co.jp/seminar/17171
〔タイトル〕
「次世代パワー半導体SiC」その最新技術動向とビジネスチャンス
〔開催日時〕
2025年02月07日(金) 13:30 - 15:30
※セミナー開催終了後も、アーカイブ配信のお申し込みを受け付けております。
〔講師〕
筑波大学
数理物質系
教授
岩室 憲幸 氏
〔講義概要〕
2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展しており、もはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワー半導体は新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状はシリコンパワー半導体が、いまだ市場の主役に君臨している。これはとりもなおさず新材料パワー半導体デバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分こたえられていないことによる。
SiCパワー半導体が今後市場の要求にどうこたえていくのか、最新技術の現状と今後の動向について、わかりやすくかつ丁寧に詳説する。
〔講義項目〕
1．パワー半導体の基本
(1) 最強シリコンパワー半導体：強みと弱み
(2) 次世代パワー半導体開発の位置づけ
2. SiCパワー半導体の現状と課題
(1) なぜSiCが新材料パワー半導体でトップランナーなのか
(2) SiCパワー半導体コストダウンに向けた技術開発
１. ウェハ技術
２. デバイス技術
(3) SiCパワー半導体信頼性の重要課題：内蔵ダイオード順方向劣化
(4) SiCパワー半導体用実装技術の進展
3．関連質疑応答
4．名刺交換・交流会
■人脈形成・新規顧客開拓・新事業展開にお役立てください。
■ライブ配信受講の方も、会場の名刺交換終了後に講師と個別オンライン対話ができる時間を設けております。
〔受講方法〕
会場受講・ライブ配信・アーカイブ配信（2週間、何度でもご都合の良い時間にご視聴可）のいずれかからお選びいただけます。
〔受講料〕
1名：33,660円（税込）2名以降：28,660円 (社内・関連会社で同時お申し込みの場合)
普段交流の無い講師及び参加者間での名刺交換・交流会で人脈を広げ、事業拡大にお役立ていただいております。
〔詳細・お申込みはこちら〕https://www.jpi.co.jp/seminar/17171
◆セミナー終了後、講師へのご質問やお取り次ぎもさせていただいております。
◆講師やご参加者同士での人的ネットワークの構築や、新たなビジネスの創出に大変お役立ていただいております。
◆セミナー開催終了後も、アーカイブ配信のお申し込みを受け付けております。
【お問合せ】
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株式会社日本計画研究所
〒106-0047東京都港区南麻布5-2-32 興和広尾ビル
TEL.03-5793-9761 FAX.03-5793-9767
URL https://www.jpi.co.jp
【JPI（日本計画研究所）について】
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