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同社の既存のHighQ™ copper (Cu) on silicon (Si) IPDテクノロジを改良した新しいIPD2プロセスは、インダクタ性能を向上させる第2の5μm銅層を備えており、より高い柔軟性を実現し、ポータブル電子機器のパッケージ・アプリケーションで、RFシステム向けの高精度かつ費用効果に優れたIPDデザインをサポートします。

オン・セミコンダクタのカスタム・ファンドリ事業部が提供する数々の革新的製造サービスの１つであるHighQ™ IPD2プロセスは、高性能8インチ・ウェハ・テクノロジを活用しています。標準デザインには、最新のポータブルおよびワイヤレス・アプリケーションで使用されるバルーン、ローパス・フィルタ、バンド・パス・フィルタ、ダイプレクサなどが含まれます。ここで、IPD2ベースのデザインは、コスト削減、薄型化、小実装面積、バッテリ寿命の延長を達成する高性能化など、重要な利点を提供します。

オン・セミコンダクタは、IPD2プロセス・テクノロジ向けに、豊富な機能を有するデザインツールおよびデザイン・サポート、迅速なプロトタイプ作成機能を提供します。これによって、潜在的ユーザは、従来のディスクリートまたは集積PCBソリューション、厚くて高価なセラミック・ソリューション、あるいは高価なGold (Au) on Gallium Arsenide (GaAs)ベースのIPDがコンバージョンに適しているかどうかを素早く、経済的に評価することができます。

オン・セミコンダクタのカスタム・ファンドリ事業部シニア・ディレクタRick Whitcomb氏は、次のように述べています。「挿入損が少なく、コスト効果の高い小型プラットフォームでの受動デバイスの集積化は、バッテリ駆動ポータブル電子機器の設計者に有益なソリューションを提供します。」「当社は、デザイン・ツールと技術支援の包括的な組み合わせによって、新しいプロセスをサポートすることにより、お客様が最短時間で最大の信頼性をもって、有効性の低いテクノロジから当社のIPD2プロセスに移行するのをサポートします。」


詳細については、http://www.onsemi.jp/をご覧ください。