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経営分析、競合調査、特許分析の株式会社パテント・リザルト（http://www.patentresult.co.jp/）はこのほど、SiCパワー半導体デバイスについて、参入企業に関する調査結果をまとめました。従来から使われているシリコン（Si）によるパワー半導体デバイスは、耐圧が理論限界値に近付いており、これ以上の改善は難しいとされています。そのため、絶縁破壊電圧が高いSiC（炭化ケイ素）や GaN（窒化ガリウム）といったワイドバンドギャップ型半導体が注目されており、これらの材料を用いたパワー半導体デバイスは、Siと比較して、より損失 を抑えることが可能になります。

今回の調査では、特に「SiC」に着目しました。SiCパワー半導体デバイス関連の特許を集計し、各個別特許の注目度を得点化する「パテントスコア（http://www.patentresult.co.jp/about-patentscore.html）」をベースとして、特許の質と量から総合的に見た評価を行いました（2011年1月末時点のパテントスコアに基づき評価）。

その結果、「総合力ランキング（※）」では、1位 CREE、2位 デンソー、3位 パナソニックとなりました。

本分析の詳細については、簡易コンサルレポートBの「特定技術分野の競合分析：SiCパワー半導体デバイス」に掲載しています。

詳細はこちら↓
http://www.patentresult.co.jp/news/2011/03/sic.html


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