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パナソニック株式会社は2018年3月5日（月）〜7日（水）までの3日間、アメリカ テキサス州・サンアントニオで開催されるパワーエレクトロニクスの展示会「APEC 2018」（The Applied Power Electronics Conference and Exposition 2018）にパワーデバイス関連製品を出展します。

「APEC 2018」パナソニックブースでは、産業および車載分野向けに、先進的なパワーマネジメントソリューションを紹介します。GaN/SiCの次世代パワーデバイスをはじめ、これまで培ってきた要素技術をコアに、機器の小型化、高効率化、熱対策など、省エネルギーへ貢献するデバイス単品から、サブシステム、ソリューションまでを提案します。

【APEC 2018　開催概要】
■会期：2018年3月5日（月）〜7日（水）
■会場：The Henry B. Gonzalez Convention Center（テキサス州・サンアントニオ）
■「APEC 2018」公式ホームページ：http://www.apec-conf.org/
■パナソニックブース：Booth 301
http://floorplan.dc.smithbucklin.com/fxfloorplan/apec18/exfx.html#floorplan

【出展者セミナーの情報】
■日時：2018年3月6日（火）13：30〜14：00
■場所：The Henry B. Gonzalez Convention Center　Session Room: 217C
■タイトル：“Gate driving method and new application for exceeding the Si limit with X-GaN”

【主な出展内容】
●X-GaN(TM) 関連ソリューション
パナソニックの耐圧600VのGaNパワーデバイス「X-GaN(TM)」 は、電源の小型化と高効率化に貢献します。X-GaNは独自のデバイス構造を採用し、GaNパワーデバイスにとって実現困難とされていたノーマリーオフ化と電流コラプスフリーを実現し、GaNパワーデバイスの信頼性を飛躍的に向上。このX-GaNの高性能を最大限に活かすことができる、X-GaN搭載小型インバータやX-GaN搭載パワーボードといった産業向けサブシステムやアプリケーションデモ、および評価環境を出展します。

●SiC-DioMOS 関連ソリューション
パナソニックのSiC-DioMOSは、パナソニック独自のDioMOS（Diode-integrated MOSFET）構造により、電源やインバータに必要な還流ダイオードの機能をトランジスタに付加することでSiC搭載モジュールの小型化を可能にします。SiCパワーデバイスは、従来のSi（シリコン）パワーデバイスを超える低損失動作を実現できるため、大電流・高電圧用途での省エネルギー化のキーデバイスとして注目されています。本展示会では、SiC-DioMOSを内蔵したモジュールも出展します。

●ソフトPGS (Pyrolytic Highly Oriented Graphite Sheet）
サーマルインターフェース材料専用に開発されたグラファイトシートで、通常のPGSと比べ非常に圧縮率が高いため、段差や凹凸に追従し熱抵抗を低減します。パワーモジュール（IGBTモジュール）の熱を拡散して放熱することで高い放熱効果を実現し、グリースやPCM（Phase Change Material：フェーズチェンジマテリアル）の取り扱い時の課題を解決する優れたインターフェース材料です。

●柔軟性断熱材 NASBIS（Nano-Silica Balloon Insulator）
NASBISは、独自の材料・工法により開発した極薄の柔軟性断熱材です。空気を上回る高い断熱性能（熱伝導率0.020W/mK typ.）と業界トップクラスの薄さ（1mm以下）を備えた断熱材で、狭小スペースでの断熱、低温やけどの防止、煽り熱の遮断、熱効率の向上などを実現します。

●受動部品
・導電性高分子コンデンサ
導電性高分子の採用により、小形ながら優れた耐リプル、ノイズ除去、温度特性を実現。コンデンサの員数削減が可能となり、さまざまな機器の小型化に貢献します。小形・大容量タイプから高信頼性タイプまで、用途に合わせた製品を取り揃えています。

・パワーチョークコイル
独自の低損失金属磁性材料の技術により、インダクタンス値の急激な低下がないため、小形で大電流を実現しています。また、熱安定性に優れ、インダクタンスの温度ディレーティングがありません。これにより、電源回路の小型、高効率化に貢献します。大容量タイプから高信頼性タイプまで多様なタイプを提供します。

・電流検出抵抗器
独自の金属プレート接合技術により、抵抗値の長期安定性に優れています。また、放熱性の高い外装を採用することにより広範囲な抵抗値レンジを実現しています。小形、低抵抗で、金属板タイプ、厚膜（片面/両面形成、短辺/長辺電極）タイプなど、多様なシリーズを提供します。

●次世代技術（参考出品）
・絶縁型ゲートドライバ（DBM : Drive-by-Microwave）
当社独自のマイクロ波非接触電力伝送技術により、絶縁信号だけでなく絶縁電力も同時に供給することが可能。これにより、絶縁電源が不要となり、SiCやIGBTといったパワーデバイスのゲート駆動回路の大幅な簡素化と小型化を実現します。

・GaN双方向スイッチ
当社独自のデバイス構造の採用により、1素子で電流の双方向通電・単方向通電・遮断を実現する双方向スイッチを提供。これにより、素子数の削減および導通損失の大幅な低減が実現でき、電力変換回路の小型化、高効率化に貢献します。


【商品に関するお問い合わせ】
・GaNパワーデバイス関連製品について
▼パナソニック セミコンダクターソリューションズ株式会社
https://industrial.panasonic.com/jp/products/semiconductors/powerics/ganpower

・受動部品/熱対策部品について
パナソニック株式会社 オートモーティブ＆インダストリアルシステムズ社
▼受動部品
https://industrial.panasonic.com/jp
▼熱対策部品
https://industrial.panasonic.com/jp/products/thermal-solutions

【出展品関連情報】
・X-GaNパワートランジスタとGaNパワートランジスタ「X-GaN」の駆動に最適な高速ゲートドライバICの量産開始（2016年11月7日）
http://news.panasonic.com/jp/topics/149705.html
・[プレスリリース] 「車載用 耐振動導電性高分子ハイブリッドアルミ電解コンデンサ」を製品化（2017年12月25日）
http://news.panasonic.com/jp/press/data/2017/12/jn171225-2/jn171225-2.html

・パナソニック株式会社 オートモーティブ＆インダストリアルシステムズ社
https://www.panasonic.com/jp/corporate/ais.html
・パナソニックノースアメリカ株式会社/インダストリアルデバイス販売
https://na.industrial.panasonic.com/