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(株)サイコックスと加賀電子(株) 次世代半導体で新技術を共同開発
[13/10/02]
提供元：DreamNews
提供元：DreamNews
2013 年10 月2 日
株式会社サイコックス（東京都千代田区、代表取締役社長加藤光治）および加賀電
子株式会社（東京都千代田区、代表取締役社長塚本外茂久）は、独立行政法人産業技
術総合研究所（茨城県つくば市、理事長中鉢良治）および京都大学（京都府京都市左京
区、総長松本紘）と共同で、貼り合せ構造を有するSiC（シリコンカーバイド：炭化珪
素）基板の実用化技術について研究開発を行っておりますが、このたび、その成果を2013
年9 月29 日から10 月4 日まで開催のICSCRM2013（宮崎県フェニックス・シーガイア・
リゾート）にて発表（発表者は京都大学）することになりましたので、お知らせします。
今回発表する貼り合せSiC 基板技術は、独立行政法人産業技術総合研究所集積マクロ
システム研究センターの高木秀樹チーム長（表面活性化接合（SAB）装置およびプロセス
の要素技術）、京都大学大学院工学研究科の須田淳准教授（SiC 材料、デバイス・プロセス
技術、評価技術）、SiC 材料の研究開発ベンチャーである株式会社サイコックス（SiC 材料・
基板製造プロセス技術、評価技術）がそれぞれの得意技術を融合して共同開発しているも
のです。商品化後、加賀電子株式会社が販売を担当する予定です。
近年、高効率、小型化が期待できるSiC パワーデバイスの電車やエアコンへの適用が進
み、実用化へのめどがつきつつあります。このような状況のなか、SiC 基板の4 インチから
6 インチへの大口径化の動きが加速され、かつ低コスト化への要望も強くなってきています。
しかしながら、現在のSiC 基板の製造方法では、結晶成長速度の限界や結晶の切断、研磨
速度の限界から、結晶の品質を維持・向上させることと、製造コストを低減することの両
立が困難でした。
共同開発した貼り合せSiC 基板技術は、低コスト支持基板の上に、高品質な単結晶薄膜
を貼り合せることによって、SiC 単結晶の品質を劣化させることなしに、製造コストを従来
の1/2 以下に低減することが可能になります。今回の発表では、4 インチの貼り合せSiC 基
板の結晶品質の評価から今後の大口径での実用性を提示します。
SiC 基板の低コストが可能になれば、SiC デバイスは、その高耐圧、低損失性という特長
を持ったパワーデバイスとして、今後自動車やコンピュータ、産業機器、送電などあらゆ
る分野での省エネルギー化に貢献できることから、今後ますますの市場拡大が可能になる
と考えられます。
本リリースに関する問合先：
株式会社サイコックス管理部
塚本真也連絡先：050-5509-4749
加賀電子株式会社広報室
滝澤淳浩連絡先：03-4455-3131
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻半導体物性工学分野
須田淳連絡先：075-383-2301
独立行政法人産業技術総合研究所集積マクロシステム研究センター
大規模インテグレーション研究チーム
高木秀樹連絡先：029-861-7217
株式会社サイコックス
〒101-0021 東京都千代田区外神田3-18-12
住友不動産秋葉原ビル12 階14 号室
TEL：050-5509-4749 FAX：03-6206-4816
URL：http://sicoxs.com
株式会社サイコックス（東京都千代田区、代表取締役社長加藤光治）および加賀電
子株式会社（東京都千代田区、代表取締役社長塚本外茂久）は、独立行政法人産業技
術総合研究所（茨城県つくば市、理事長中鉢良治）および京都大学（京都府京都市左京
区、総長松本紘）と共同で、貼り合せ構造を有するSiC（シリコンカーバイド：炭化珪
素）基板の実用化技術について研究開発を行っておりますが、このたび、その成果を2013
年9 月29 日から10 月4 日まで開催のICSCRM2013（宮崎県フェニックス・シーガイア・
リゾート）にて発表（発表者は京都大学）することになりましたので、お知らせします。
今回発表する貼り合せSiC 基板技術は、独立行政法人産業技術総合研究所集積マクロ
システム研究センターの高木秀樹チーム長（表面活性化接合（SAB）装置およびプロセス
の要素技術）、京都大学大学院工学研究科の須田淳准教授（SiC 材料、デバイス・プロセス
技術、評価技術）、SiC 材料の研究開発ベンチャーである株式会社サイコックス（SiC 材料・
基板製造プロセス技術、評価技術）がそれぞれの得意技術を融合して共同開発しているも
のです。商品化後、加賀電子株式会社が販売を担当する予定です。
近年、高効率、小型化が期待できるSiC パワーデバイスの電車やエアコンへの適用が進
み、実用化へのめどがつきつつあります。このような状況のなか、SiC 基板の4 インチから
6 インチへの大口径化の動きが加速され、かつ低コスト化への要望も強くなってきています。
しかしながら、現在のSiC 基板の製造方法では、結晶成長速度の限界や結晶の切断、研磨
速度の限界から、結晶の品質を維持・向上させることと、製造コストを低減することの両
立が困難でした。
共同開発した貼り合せSiC 基板技術は、低コスト支持基板の上に、高品質な単結晶薄膜
を貼り合せることによって、SiC 単結晶の品質を劣化させることなしに、製造コストを従来
の1/2 以下に低減することが可能になります。今回の発表では、4 インチの貼り合せSiC 基
板の結晶品質の評価から今後の大口径での実用性を提示します。
SiC 基板の低コストが可能になれば、SiC デバイスは、その高耐圧、低損失性という特長
を持ったパワーデバイスとして、今後自動車やコンピュータ、産業機器、送電などあらゆ
る分野での省エネルギー化に貢献できることから、今後ますますの市場拡大が可能になる
と考えられます。
本リリースに関する問合先：
株式会社サイコックス管理部
塚本真也連絡先：050-5509-4749
加賀電子株式会社広報室
滝澤淳浩連絡先：03-4455-3131
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻半導体物性工学分野
須田淳連絡先：075-383-2301
独立行政法人産業技術総合研究所集積マクロシステム研究センター
大規模インテグレーション研究チーム
高木秀樹連絡先：029-861-7217
株式会社サイコックス
〒101-0021 東京都千代田区外神田3-18-12
住友不動産秋葉原ビル12 階14 号室
TEL：050-5509-4749 FAX：03-6206-4816
URL：http://sicoxs.com
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