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化合物半導体の市場規模、2020年の320億米ドルから2025年には434億米ドルに達し、CAGR6.3%で成長予測
株式会社グローバルインフォメーションは、市場調査レポート「化合物半導体の世界市場 (〜2025年)：GaN・GaAs・SiC・InP - COVID-19の影響分析」 (MarketsandMarkets) の販売を8月26日より開始いたしました。
化合物半導体の市場規模は、2020年の320億米ドルから2025年には434億米ドルに達し、CAGR6.3%で成長すると予測されています。半導体産業におけるGaNとSiCの需要および実装の増加は、市場の成長を牽引する主な要因の1つです。さらに、LED用途での化合物半導体の高い使用率は、近い将来、これらの製品の需要を牽引すると予測されます。
COVID-19の影響
化合物半導体市場には、日亜、Samsung Electronics、Qorvo、Skyworksなどの主要なTier IおよびTier IIプレーヤーが含まれています。これらのプレーヤーは、アジア太平洋、ヨーロッパ、北米、および世界各国に製造施設を展開しています。COVID-19は彼らのビジネスにも影響を与えています。
推進要因：LED用途での高度な使用
LEDは、白熱電球、蛍光灯、CFLなどの様々な光源に取って代わりつつあります。これは、一般照明、自動車照明、看板ディスプレイなど、複数の用途での普及が進んでいることからも明らかです。LEDは、III-V族材料と呼ばれる、周期表のIII族およびV族の元素からなる化合物半導体材料で構成されています。一般的に使用されているIII-V族材料としては、窒化ガリウム（GaN）、ガリウムヒ素（GaAs）、リン化ガリウム（GaP）などがあります。
抑制要因：高額な材料および製造コスト
化合物半導体市場の成長を抑制している主な要因は、サプライチェーンの全産業プロセスに関わる高額な支出です。化合物半導体デバイスの1個当たりの平均支出額は、サプライチェーンの全プロセスを合計した場合、純粋なシリコン半導体デバイス1個当たりの平均支出額をはるかに上回っています。その主な理由は、すべてのプロセスが複雑で新しく、高度な技術を採用しており、高額な最先端の装置を必要とするためです。また、エンジニアリングコミュニティや化合物半導体業界のプレーヤーの幹部の間で、製造プロセスに関する基本知識や必要とされる専門知識を持つ人が不足している事も抑制要因となっています。
市場機会：軍事、防衛、航空宇宙における化合物半導体の需要の増加
軍事、防衛、航空宇宙アプリケーションでのRF（無線周波数）電力の使用が増加していることは、今後の化合物半導体市場の成長の機会を提供しています。アビオニクスやレーダーシステムなどの分野でのRFパワーデバイスの使用は、軍事・航空宇宙アプリケーションの市場の成長に役立ちます。InPとGaAsを使用して、より新しく高度な製品を開発することは、軍事、防衛、航空宇宙アプリケーションの市場の成長をさらに後押しすると予測されます。GaAsベースのスイッチは、MWIR帯域の軍事用RFベースのパワーデバイスに使用されています。
【 当レポートの詳細目次 】
https://www.gii.co.jp/report/mama951581-compound-semiconductor-market-covid-19-impact.html
ご購入検討用にレポートサンプルのご提供や試読サービスなども行っております（無料）。
【本件に関するお問合せは下記まで】
販売代理店 株式会社グローバルインフォメーション
Tel：044-952-0102
e-mail：jp-info@gii.co.jp
URL：https://www.gii.co.jp/
〒215-0004
神奈川県川崎市麻生区万福寺1-2-3 アーシスビル7F
化合物半導体の市場規模は、2020年の320億米ドルから2025年には434億米ドルに達し、CAGR6.3%で成長すると予測されています。半導体産業におけるGaNとSiCの需要および実装の増加は、市場の成長を牽引する主な要因の1つです。さらに、LED用途での化合物半導体の高い使用率は、近い将来、これらの製品の需要を牽引すると予測されます。
COVID-19の影響
化合物半導体市場には、日亜、Samsung Electronics、Qorvo、Skyworksなどの主要なTier IおよびTier IIプレーヤーが含まれています。これらのプレーヤーは、アジア太平洋、ヨーロッパ、北米、および世界各国に製造施設を展開しています。COVID-19は彼らのビジネスにも影響を与えています。
推進要因：LED用途での高度な使用
LEDは、白熱電球、蛍光灯、CFLなどの様々な光源に取って代わりつつあります。これは、一般照明、自動車照明、看板ディスプレイなど、複数の用途での普及が進んでいることからも明らかです。LEDは、III-V族材料と呼ばれる、周期表のIII族およびV族の元素からなる化合物半導体材料で構成されています。一般的に使用されているIII-V族材料としては、窒化ガリウム（GaN）、ガリウムヒ素（GaAs）、リン化ガリウム（GaP）などがあります。
抑制要因：高額な材料および製造コスト
化合物半導体市場の成長を抑制している主な要因は、サプライチェーンの全産業プロセスに関わる高額な支出です。化合物半導体デバイスの1個当たりの平均支出額は、サプライチェーンの全プロセスを合計した場合、純粋なシリコン半導体デバイス1個当たりの平均支出額をはるかに上回っています。その主な理由は、すべてのプロセスが複雑で新しく、高度な技術を採用しており、高額な最先端の装置を必要とするためです。また、エンジニアリングコミュニティや化合物半導体業界のプレーヤーの幹部の間で、製造プロセスに関する基本知識や必要とされる専門知識を持つ人が不足している事も抑制要因となっています。
市場機会：軍事、防衛、航空宇宙における化合物半導体の需要の増加
軍事、防衛、航空宇宙アプリケーションでのRF（無線周波数）電力の使用が増加していることは、今後の化合物半導体市場の成長の機会を提供しています。アビオニクスやレーダーシステムなどの分野でのRFパワーデバイスの使用は、軍事・航空宇宙アプリケーションの市場の成長に役立ちます。InPとGaAsを使用して、より新しく高度な製品を開発することは、軍事、防衛、航空宇宙アプリケーションの市場の成長をさらに後押しすると予測されます。GaAsベースのスイッチは、MWIR帯域の軍事用RFベースのパワーデバイスに使用されています。
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