協栄産業、FLOSFIAと国内販売代理店契約を締結〜世界初、酸化ガリウムパワーデバイスを量産販売〜
[19/10/15]
提供元:@Press
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協栄産業株式会社(本社:東京都渋谷区、代表取締役社長:水谷 廣司、以下「協栄産業」)は京都大学発のベンチャー企業である株式会社FLOSFIA(本社:京都府京都市、代表取締役社長:人羅 俊実、以下「FLOSFIA」)と国内販売代理店契約を締結いたしました。協栄産業は国内の販売代理店として、FLOSFIAが手掛けるコランダム型酸化ガリウム製パワーデバイス(以下、「GaO(R)パワーデバイス」)製品の取り扱いを開始いたします。
酸化ガリウムは、優れた材料物性ゆえ近年注目され始めた最先端の半導体材料です。FLOSFIAは、酸化ガリウムのなかでも、天然に存在しない特殊な結晶構造「コランダム構造」を人工的に合成し、パワーデバイスに応用する技術開発に取り組んできました。このコランダム構造の酸化ガリウムは、低損失化の材料ポテンシャルを示す「バリガ性能指数」において、従来材料のシリコンに対して約7,000倍、シリコンカーバイドに対して約20倍となる圧倒的な物性値を示しており(FLOSFIA推定)、電気自動車や産業機器、民生用小型電源などさまざまな機器に搭載することで電力変換損失を劇的に低減する効果が期待されます。
FLOSFIAは、これまで世界トップデータである特性オン抵抗値0.1mΩcm2を達成、デバイスレベルでの材料ポテンシャル実証に成功しています。さらにGaO(R)パワーデバイスの最初の製品としてSBD(ショットキーバリアダイオード)のサンプル出荷を世界に先駆けて開始、2019年7月には新しい製造拠点でのクリーンルームの稼働を開始するなど、2020年の量産販売に向けた準備を進めています。加えて、嘱望されるノーマリーオフMOSFET(電界効果型トランジスタ)の動作実証にも成功しており、より幅広い領域への展開を目指しています。
協栄産業は、本契約締結により、豊富な経験と多くの販売実績及び販売チャネルを活かし、GaO(R)パワーデバイスの販売拡大を進めてまいります。
注:「GaO(R)」はFLOSFIAの登録商標です。
画像1: https://www.atpress.ne.jp/releases/195886/LL_img_195886_1.png
コランダム型酸化ガリウム製パワーデバイス
■会社概要
商号 : 協栄産業株式会社
代表者 : 代表取締役社長 水谷 廣司
所在地 : 〒150-8585 東京都渋谷区松濤2-20-4
設立 : 1947年10月
資本金 : 31億6,181万円
事業内容: 半導体、電子デバイス、金属材料、産業機器、情報通信機器、
環境対応製品、3Dプリンター、プリント配線板の販売。
ソフトウェア、アプリケーション、システムソリューション、
エンベデッドシステム、ICデザイン等の設計・開発。
プリント配線板、情報通信機器の製造。
東京証券取引所 市場第一部に上場(コード番号:6973)
URL : https://www.kyoei.co.jp/
■「GaO(R)パワーデバイス」に関するお問い合わせ先
協栄産業株式会社 コンポーネントソリューション事業部
担当: 林、市橋
TEL : 03-3481-2780 (林)
028-683-3011 (市橋)
Mail: hayashi.shoichi@kyoei.co.jp (林)
ichihashi.hiroaki@kyoei.co.jp (市橋)
株式会社FLOSFIA 営業部
担当: 井川
TEL : 075-963-5202
Mail: sales@flosfia.com
酸化ガリウムは、優れた材料物性ゆえ近年注目され始めた最先端の半導体材料です。FLOSFIAは、酸化ガリウムのなかでも、天然に存在しない特殊な結晶構造「コランダム構造」を人工的に合成し、パワーデバイスに応用する技術開発に取り組んできました。このコランダム構造の酸化ガリウムは、低損失化の材料ポテンシャルを示す「バリガ性能指数」において、従来材料のシリコンに対して約7,000倍、シリコンカーバイドに対して約20倍となる圧倒的な物性値を示しており(FLOSFIA推定)、電気自動車や産業機器、民生用小型電源などさまざまな機器に搭載することで電力変換損失を劇的に低減する効果が期待されます。
FLOSFIAは、これまで世界トップデータである特性オン抵抗値0.1mΩcm2を達成、デバイスレベルでの材料ポテンシャル実証に成功しています。さらにGaO(R)パワーデバイスの最初の製品としてSBD(ショットキーバリアダイオード)のサンプル出荷を世界に先駆けて開始、2019年7月には新しい製造拠点でのクリーンルームの稼働を開始するなど、2020年の量産販売に向けた準備を進めています。加えて、嘱望されるノーマリーオフMOSFET(電界効果型トランジスタ)の動作実証にも成功しており、より幅広い領域への展開を目指しています。
協栄産業は、本契約締結により、豊富な経験と多くの販売実績及び販売チャネルを活かし、GaO(R)パワーデバイスの販売拡大を進めてまいります。
注:「GaO(R)」はFLOSFIAの登録商標です。
画像1: https://www.atpress.ne.jp/releases/195886/LL_img_195886_1.png
コランダム型酸化ガリウム製パワーデバイス
■会社概要
商号 : 協栄産業株式会社
代表者 : 代表取締役社長 水谷 廣司
所在地 : 〒150-8585 東京都渋谷区松濤2-20-4
設立 : 1947年10月
資本金 : 31億6,181万円
事業内容: 半導体、電子デバイス、金属材料、産業機器、情報通信機器、
環境対応製品、3Dプリンター、プリント配線板の販売。
ソフトウェア、アプリケーション、システムソリューション、
エンベデッドシステム、ICデザイン等の設計・開発。
プリント配線板、情報通信機器の製造。
東京証券取引所 市場第一部に上場(コード番号:6973)
URL : https://www.kyoei.co.jp/
■「GaO(R)パワーデバイス」に関するお問い合わせ先
協栄産業株式会社 コンポーネントソリューション事業部
担当: 林、市橋
TEL : 03-3481-2780 (林)
028-683-3011 (市橋)
Mail: hayashi.shoichi@kyoei.co.jp (林)
ichihashi.hiroaki@kyoei.co.jp (市橋)
株式会社FLOSFIA 営業部
担当: 井川
TEL : 075-963-5202
Mail: sales@flosfia.com