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【矢野経済研究所調査結果サマリー】パワー半導体の世界市場に関する調査結果 2011〜2012年前半は厳しい市場環境が続くが、後半より緩やかな増加基調に転じる〜
[12/01/19]
提供元：DreamNews
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1．調査期間：2011年9月〜12月
2．調査対象：パワー半導体メーカ、カーエレクトロニクスメーカ、ウエハメーカ
3．調査方法：当社専門研究員による直接面談、電話・e-mailによるヒアリング、ならびに文献調査併用
＜パワー半導体とは＞
主にインバータ/コンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる半導体素子である。本調査では、パワーMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）/IPD（Intelligent Power Device）やダイオード、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiCデバイスを含む。
無断転載禁止
詳細プレスリリースは以下をご参照ください。
■YRIマーケットNow!
http://www.yano.co.jp/press/press.php/000903
※掲載されている情報は、発表日現在の情報です。その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご了承ください。
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（株）矢野経済研究所 営業本部 広報宣伝グループ
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（株）矢野経済研究所 営業本部 東京カスタマーセンター
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3．調査方法：当社専門研究員による直接面談、電話・e-mailによるヒアリング、ならびに文献調査併用
＜パワー半導体とは＞
主にインバータ/コンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる半導体素子である。本調査では、パワーMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）/IPD（Intelligent Power Device）やダイオード、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiCデバイスを含む。
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