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オンセミ、Sineng Electricの先進的な太陽光発電およびエネルギー貯蔵ソリューションを支援
[26/03/31]
提供元：PRTIMES
提供元：PRTIMES
EliteSiC技術により、Sinengの高出力エネルギー貯蔵システムおよび太陽光インバータの効率・電力密度・長期信頼性を向上
[画像: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/35474/344/35474-344-d28e1c4fcd48c5f985e8e6c84403e6d8-3900x2194.jpg?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
ニュースハイライト
- オンセミは、Sineng Electricの430 kW液冷エネルギー貯蔵システムおよび320 kW太陽光インバータ向けに新たなデザインウィンを獲得
- オンセミの最新世代PIMにより、最大0.1％の効率向上を実現し、インバータのシステムレベルで重量当たり出力性能を32％改善
- 高密度F5BPパッケージを採用したハイブリッドPIMは、FS7 IGBTおよびEliteSiC技術を統合し、最大8％の電力損失低減、10％のスイッチング損失低減、高電力密度を実現
概要：
オンセミ（本社: 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq：ON）は、Sineng Electricとの新たなデザインウィンを獲得したことを発表しました。本デザインウィンでは、オンセミの最新世代ハイブリッド・パワー・インテグレーテッド・モジュール（PIM）が、ふたつのユーティリティ規模再生可能エネルギー向けプラットフォームに採用されます。
本PIMは、オンセミのFS7絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ (IGBT)およびEliteSiC技術を搭載しており、Sinengの次世代430 kW液冷エネルギー貯蔵システム（ESS）および320 kWユーティリティ規模太陽光ストリングインバータに使用されます。
オンセミの技術を採用することで、これらのSineng製ソリューションは、効率の向上、高電力密度化、スイッチング損失の低減、熱性能の改善を実現し、ユーティリティ規模の再生可能エネルギー用途における性能基準をさらに引き上げます。競合パワーモジュールとのベンチマーク試験では、オンセミのFS7ベース・ハイブリッドPIMが、320 kW太陽光インバータ構成において0.07％の効率向上を達成し、損失を225 W低減しました。
SCOTTSDALE（米国アリゾナ州）2026年3月31日 - オンセミは本日、同社のハイブリッド・パワー・インテグレーテッド・モジュール（PIM）が、Sineng Electricの次世代430 kW液冷ストリング型エネルギー貯蔵システム（ESS）および320 kWユーティリティ規模太陽光インバータに採用されることを発表しました。本デザインウィンは、成長を続ける再生可能エネルギーおよびAIインフラ市場に向けて、高性能かつ将来対応型ソリューションを提供してきたオンセミとSinengの長年にわたる協業関係をさらに発展させるものです。
業界をリードするパワーモジュール技術
Sineng Electricの新プラットフォームの中核を成すのは、オンセミの最新世代Field Stop（FS7）絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ (IGBT)およびF5BPパッケージ内のシリコンカーバイド（SiC）ハイブリッド・パワー・インテグレーテッド・モジュール（PIM）です。これらのモジュールは、ユーティリティ規模の太陽光ストリングインバータおよびエネルギー貯蔵システム（ESS）の出力向上を目的として設計されています。
従来世代と比較して、同一フットプリント内で32％の電力密度向上と0.1％の効率向上を実現しており、太陽光インバータの総システム出力を320 kWから350 kWへ引き上げることが可能となります。
効率と信頼性の新たな基準を確立
オンセミのhybrid F5BP PIMsは、FS7 IGBT および EliteSiCダイオード技術を統合しており、従来世代と比べて最大8％の電力損失低減、10％のスイッチング損失低減を実現しています。
また、高度なDirect Bonded Copper(DBC）基板設計により、浮遊容量を最小化するとともに、ヒートシンクに対する熱抵抗を9.3％低減しています。スイッチング損失および熱抵抗の低減を組み合わせることで、従来世代の設計と同一重量・同一密度において、最大32％高いシステム出力を可能にします。さらに、最適化された電気レイアウトおよび革新的なベースプレート設計により、熱マネジメント性能を向上させています。これらの特長の組み合わせにより、優れたシステム性能と長期信頼性が実現されます。
従来世代のモジュールと比較した場合、オンセミの最新FS7ベース・ハイブリッドPIMは、スイッチング損失の低減および熱抵抗の改善により、Sinengの新しい430 kWストリング型ESSにおいて、以下のシステムレベルでの改善を可能にします。
- ベンチマーク試験で実証されたモジュールレベルの効率向上を元に、round-trip efficiency (RTE)を0.75％向上
- 補助電力消費を5％削減し、総運用コストを低減
- 高電力密度化により、必要なモジュール数を削減し、部品コストを低減
- 高負荷時でも低温動作を実現し、信頼性を向上
より安定した信頼性の高い再生可能エネルギーグリッドの実現
Sineng ElectricのR&D部門ゼネラルマネージャーであるJianfeng Sun氏は、次のように述べています。「ユーティリティ規模の事業者は、同一フットプリントからより多くの電力を引き出しながら、ライフサイクルコストを削減することに注力しています。オンセミのF5BPパッケージ・ハイブリッドモジュールを430 kW ESSおよび320 kWインバータ・プラットフォームに統合することで、高電力密度によるシステム定格の向上と、変換効率の改善という2つの重要な課題に同時に対応できます。これらの積み重ねが、より安定した再生可能エネルギーグリッドの実現につながります」
また、オンセミのIGBTパワー部門バイスプレジデント兼ゼネラルマネージャーであるSravan Vanaparthyは、次のように述べています。「多くの開発者は、既存レイアウトに適合し、熱設計を簡素化し、エネルギー損失を低減できるソリューションを求めています。当社のF5BPモジュールにFS7 IGBTとEliteSiCダイオード技術を組み合わせることで、フットプリントを拡大することなく、より高い変換効率と電力密度を実現できます。これにより、同一システムサイズでの出力向上が可能となり、信頼性とライフタイム運用コストの両面で大きな価値を提します」
詳細情報:
製品ページ:
NXH500B100H7F5SHG;
NXH600N105L7F5P2HG;
NXH600N105L7F5S2HG;
NXH600N105L7F5SHG,
Si/SiC Hybrid Modules
データシート:
?NXH500B100H7F5SHG
ソリューションガイド:
?Solar Inverter;?Energy Storage
ホワイトペーパー:
BRD8095 - Overcoming the Challenges of Silicon Carbide to Ensure Application Success
TND6386 - Topologies for Commercial String Solar Inverter
[画像: https://prcdn.freetls.fastly.net/release_image/35474/344/35474-344-d28e1c4fcd48c5f985e8e6c84403e6d8-3900x2194.jpg?width=536&quality=85%2C75&format=jpeg&auto=webp&fit=bounds&bg-color=fff ]
ニュースハイライト
- オンセミは、Sineng Electricの430 kW液冷エネルギー貯蔵システムおよび320 kW太陽光インバータ向けに新たなデザインウィンを獲得
- オンセミの最新世代PIMにより、最大0.1％の効率向上を実現し、インバータのシステムレベルで重量当たり出力性能を32％改善
- 高密度F5BPパッケージを採用したハイブリッドPIMは、FS7 IGBTおよびEliteSiC技術を統合し、最大8％の電力損失低減、10％のスイッチング損失低減、高電力密度を実現
概要：
オンセミ（本社: 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq：ON）は、Sineng Electricとの新たなデザインウィンを獲得したことを発表しました。本デザインウィンでは、オンセミの最新世代ハイブリッド・パワー・インテグレーテッド・モジュール（PIM）が、ふたつのユーティリティ規模再生可能エネルギー向けプラットフォームに採用されます。
本PIMは、オンセミのFS7絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ (IGBT)およびEliteSiC技術を搭載しており、Sinengの次世代430 kW液冷エネルギー貯蔵システム（ESS）および320 kWユーティリティ規模太陽光ストリングインバータに使用されます。
オンセミの技術を採用することで、これらのSineng製ソリューションは、効率の向上、高電力密度化、スイッチング損失の低減、熱性能の改善を実現し、ユーティリティ規模の再生可能エネルギー用途における性能基準をさらに引き上げます。競合パワーモジュールとのベンチマーク試験では、オンセミのFS7ベース・ハイブリッドPIMが、320 kW太陽光インバータ構成において0.07％の効率向上を達成し、損失を225 W低減しました。
SCOTTSDALE（米国アリゾナ州）2026年3月31日 - オンセミは本日、同社のハイブリッド・パワー・インテグレーテッド・モジュール（PIM）が、Sineng Electricの次世代430 kW液冷ストリング型エネルギー貯蔵システム（ESS）および320 kWユーティリティ規模太陽光インバータに採用されることを発表しました。本デザインウィンは、成長を続ける再生可能エネルギーおよびAIインフラ市場に向けて、高性能かつ将来対応型ソリューションを提供してきたオンセミとSinengの長年にわたる協業関係をさらに発展させるものです。
業界をリードするパワーモジュール技術
Sineng Electricの新プラットフォームの中核を成すのは、オンセミの最新世代Field Stop（FS7）絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ (IGBT)およびF5BPパッケージ内のシリコンカーバイド（SiC）ハイブリッド・パワー・インテグレーテッド・モジュール（PIM）です。これらのモジュールは、ユーティリティ規模の太陽光ストリングインバータおよびエネルギー貯蔵システム（ESS）の出力向上を目的として設計されています。
従来世代と比較して、同一フットプリント内で32％の電力密度向上と0.1％の効率向上を実現しており、太陽光インバータの総システム出力を320 kWから350 kWへ引き上げることが可能となります。
効率と信頼性の新たな基準を確立
オンセミのhybrid F5BP PIMsは、FS7 IGBT および EliteSiCダイオード技術を統合しており、従来世代と比べて最大8％の電力損失低減、10％のスイッチング損失低減を実現しています。
また、高度なDirect Bonded Copper(DBC）基板設計により、浮遊容量を最小化するとともに、ヒートシンクに対する熱抵抗を9.3％低減しています。スイッチング損失および熱抵抗の低減を組み合わせることで、従来世代の設計と同一重量・同一密度において、最大32％高いシステム出力を可能にします。さらに、最適化された電気レイアウトおよび革新的なベースプレート設計により、熱マネジメント性能を向上させています。これらの特長の組み合わせにより、優れたシステム性能と長期信頼性が実現されます。
従来世代のモジュールと比較した場合、オンセミの最新FS7ベース・ハイブリッドPIMは、スイッチング損失の低減および熱抵抗の改善により、Sinengの新しい430 kWストリング型ESSにおいて、以下のシステムレベルでの改善を可能にします。
- ベンチマーク試験で実証されたモジュールレベルの効率向上を元に、round-trip efficiency (RTE)を0.75％向上
- 補助電力消費を5％削減し、総運用コストを低減
- 高電力密度化により、必要なモジュール数を削減し、部品コストを低減
- 高負荷時でも低温動作を実現し、信頼性を向上
より安定した信頼性の高い再生可能エネルギーグリッドの実現
Sineng ElectricのR&D部門ゼネラルマネージャーであるJianfeng Sun氏は、次のように述べています。「ユーティリティ規模の事業者は、同一フットプリントからより多くの電力を引き出しながら、ライフサイクルコストを削減することに注力しています。オンセミのF5BPパッケージ・ハイブリッドモジュールを430 kW ESSおよび320 kWインバータ・プラットフォームに統合することで、高電力密度によるシステム定格の向上と、変換効率の改善という2つの重要な課題に同時に対応できます。これらの積み重ねが、より安定した再生可能エネルギーグリッドの実現につながります」
また、オンセミのIGBTパワー部門バイスプレジデント兼ゼネラルマネージャーであるSravan Vanaparthyは、次のように述べています。「多くの開発者は、既存レイアウトに適合し、熱設計を簡素化し、エネルギー損失を低減できるソリューションを求めています。当社のF5BPモジュールにFS7 IGBTとEliteSiCダイオード技術を組み合わせることで、フットプリントを拡大することなく、より高い変換効率と電力密度を実現できます。これにより、同一システムサイズでの出力向上が可能となり、信頼性とライフタイム運用コストの両面で大きな価値を提します」
詳細情報:
製品ページ:
NXH500B100H7F5SHG;
NXH600N105L7F5P2HG;
NXH600N105L7F5S2HG;
NXH600N105L7F5SHG,
Si/SiC Hybrid Modules
データシート:
?NXH500B100H7F5SHG
ソリューションガイド:
?Solar Inverter;?Energy Storage
ホワイトペーパー:
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