STマイクロエレクトロニクスとSoitec、次世代CMOSイメージ・センサを共同開発
[09/05/20]
提供元:PRTIMES
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両社の協業が、モバイル・コンスーマ市場向け
バックサイド・イルミネーション製品の製造をリード世界を代表する半導体企業の1つでありCMOSイメージング技術の世界的
リーダーであるSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)と、
加工基板の世界的主要サプライヤであるSoitec(Euronext:SOI)は、
コンスーマ製品向け次世代イメージ・センサ用の300mmウェハ・レベル・
バックサイド・イルミネーション(裏面照射、BSI)技術の開発に関する
協業を行うことを発表しました。
今日、最先端イメージ・センサの解像度は常に増加し続けている一方、カメラ・
モジュール全体のフットプリント小型化に対するニーズが、特にコンスーマ市場
において高まっています。したがって、高画質なイメージを生成するために
ピクセル感度を維持したまま、個々のピクセル・サイズを小型化する必要が
あります。次世代イメージ・センサの開発において、BSIは、この課題を解決
するための技術の1つです。
今回の提携により、300mmウェハ上にBSIセンサを製造するSoitecのSmart
Stacking(TM)ボンディング技術に関するライセンスがSTに供与されます。
同技術は、Soitecのトラシット・ビジネス・ユニット(Tracit Business Unit)
によって開発され、分子ボンディングと機械的(および化学的)シンニングを
活用したものです。STは、65nm以上の先進的CMOSプロセス派生技術をベースに、
クロル工場(フランス)の300mmウェハ設備において、次世代イメージ・センサ
の開発を行います。STは、その先進的ウェハ・レベル製造能力とSmart Stacking
技術の組み合わせによって、モバイル・コンスーマ製品向け高性能イメージ・
センサの開発と供給における主導的地位を強化します。
STのグループ・バイス・プレジデント 兼 イメージング事業部ジェネラル・
マネージャであるEric Aussedatは、次の様にコメントしています。「BSI技術は、
最先端イメージ・センサ開発のための小ピクセル化および高画質化競争における
重要な要素の1つです。Soitecと提携することにより、Smart Stacking技術を
短時間でSTのイメージ・センサおよびカメラ・モジュールに導入することが
可能になります。今回の提携は、先進的でコスト競争力に優れたイメージ・
センサの開発を加速し、先進的なCMOSイメージング技術の世界的中心地である
グルノーブル地域のポジションをさらに強固なものとします。」
Soitecグループの会長 兼 社長であるAndre-Jacques Auberton-Herveは、
次の様にコメントしています。「当社のSmart Stacking技術が、STのBSI製品
に採用されることを非常に嬉しく思います。当社のトラシット・ビジネス・
ユニットが開発した同技術は、基板加工と3D集積化を伴う先進的プロセスの
迅速な普及をサポートします。顧客利益の創出に向けた、STの革新への取組み
に協力できることを喜ばしく思います。」
また、本プレスリリースは以下のURLでもご覧いただけます。
http://www.st-japan.co.jp/data/press/t2379h.html
STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに半導体製品や
ソリューションを開発・提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、
他社の追随を許さない高度なシリコン技術とシステムノウハウを擁しており、
幅広いIP(Intellectual Property)ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、
大規模な製造力との組合わせにより、SoC(システム-オン-チップ)技術に関し
世界的リーダーとしての地位を確立しています。またSTの半導体製品は、
市場における技術やシステムのコンバージェンス化を促進するために重要な役目
を果たしています。STは、ニューヨーク証券取引所(NYSE:STM)、パリ証券取引所
(Euronext Paris)とミラノ証券取引所に上場しています。
2008年の売上は98.4億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人:http://www.st-japan.co.jp
STグループ(英語):http://www.st.com
Soitecについて
Soitecは、先端マイクロエレクトロニクス向け加工基板における、世界的主要
サプライヤです。Soitecは、幅広い先進的素材を生産しており、特に自社の
Smart Cut(TM)テクノロジーをベースとするSOI(Silicon-On-Insulator)
ウェハは、この独自技術の最初の量産アプリケーションです。今日、SOIは、
より高性能、高速、経済的なチップへの道を拓く将来のプラットフォーム
として考えられています。現在Soitecは、SOIウェハの80%以上を生産しています。
フランスのベルナン(Bernin)に本社(および施設内に2つの量産部門)
を置くSoitecは、米国、日本、および台湾にもオフィスを有し、シンガポールで
は新工場の顧客認定が進行中です。その他、Picogiga International
(Les Ulis、レジュリス)とTracit Technologies(Bernin、ベルナン)という
2つのビジネス・ユニットがあります。ピコギガ・インターナショナルは
複合材料業界に向けて、III-Vエピウェハおよび窒化ガリウム(GaN)ウェハを
含む、高周波エレクトロニクスやその他の光電子デバイス製造用の先進的基板
ソリューションを供給しています。一方、トラシット・テクノロジーズは、
パワーICおよびマイクロシステム向け加工基板の製造に使用される薄膜層
トランスファ技術、および一般的な回路トランスファ技術、イメージ・センサや
3D集積化などのアプリケーション向けのSmart Stacking(TM)を提供しています。
Soitecグループの株式はパリ証券取引所(Euronext Paris)に上場されています。
詳細については、www.soitec.comをご覧ください。
バックサイド・イルミネーション製品の製造をリード世界を代表する半導体企業の1つでありCMOSイメージング技術の世界的
リーダーであるSTマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)と、
加工基板の世界的主要サプライヤであるSoitec(Euronext:SOI)は、
コンスーマ製品向け次世代イメージ・センサ用の300mmウェハ・レベル・
バックサイド・イルミネーション(裏面照射、BSI)技術の開発に関する
協業を行うことを発表しました。
今日、最先端イメージ・センサの解像度は常に増加し続けている一方、カメラ・
モジュール全体のフットプリント小型化に対するニーズが、特にコンスーマ市場
において高まっています。したがって、高画質なイメージを生成するために
ピクセル感度を維持したまま、個々のピクセル・サイズを小型化する必要が
あります。次世代イメージ・センサの開発において、BSIは、この課題を解決
するための技術の1つです。
今回の提携により、300mmウェハ上にBSIセンサを製造するSoitecのSmart
Stacking(TM)ボンディング技術に関するライセンスがSTに供与されます。
同技術は、Soitecのトラシット・ビジネス・ユニット(Tracit Business Unit)
によって開発され、分子ボンディングと機械的(および化学的)シンニングを
活用したものです。STは、65nm以上の先進的CMOSプロセス派生技術をベースに、
クロル工場(フランス)の300mmウェハ設備において、次世代イメージ・センサ
の開発を行います。STは、その先進的ウェハ・レベル製造能力とSmart Stacking
技術の組み合わせによって、モバイル・コンスーマ製品向け高性能イメージ・
センサの開発と供給における主導的地位を強化します。
STのグループ・バイス・プレジデント 兼 イメージング事業部ジェネラル・
マネージャであるEric Aussedatは、次の様にコメントしています。「BSI技術は、
最先端イメージ・センサ開発のための小ピクセル化および高画質化競争における
重要な要素の1つです。Soitecと提携することにより、Smart Stacking技術を
短時間でSTのイメージ・センサおよびカメラ・モジュールに導入することが
可能になります。今回の提携は、先進的でコスト競争力に優れたイメージ・
センサの開発を加速し、先進的なCMOSイメージング技術の世界的中心地である
グルノーブル地域のポジションをさらに強固なものとします。」
Soitecグループの会長 兼 社長であるAndre-Jacques Auberton-Herveは、
次の様にコメントしています。「当社のSmart Stacking技術が、STのBSI製品
に採用されることを非常に嬉しく思います。当社のトラシット・ビジネス・
ユニットが開発した同技術は、基板加工と3D集積化を伴う先進的プロセスの
迅速な普及をサポートします。顧客利益の創出に向けた、STの革新への取組み
に協力できることを喜ばしく思います。」
また、本プレスリリースは以下のURLでもご覧いただけます。
http://www.st-japan.co.jp/data/press/t2379h.html
STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに半導体製品や
ソリューションを開発・提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、
他社の追随を許さない高度なシリコン技術とシステムノウハウを擁しており、
幅広いIP(Intellectual Property)ポートフォリオ、戦略的パートナーシップ、
大規模な製造力との組合わせにより、SoC(システム-オン-チップ)技術に関し
世界的リーダーとしての地位を確立しています。またSTの半導体製品は、
市場における技術やシステムのコンバージェンス化を促進するために重要な役目
を果たしています。STは、ニューヨーク証券取引所(NYSE:STM)、パリ証券取引所
(Euronext Paris)とミラノ証券取引所に上場しています。
2008年の売上は98.4億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人:http://www.st-japan.co.jp
STグループ(英語):http://www.st.com
Soitecについて
Soitecは、先端マイクロエレクトロニクス向け加工基板における、世界的主要
サプライヤです。Soitecは、幅広い先進的素材を生産しており、特に自社の
Smart Cut(TM)テクノロジーをベースとするSOI(Silicon-On-Insulator)
ウェハは、この独自技術の最初の量産アプリケーションです。今日、SOIは、
より高性能、高速、経済的なチップへの道を拓く将来のプラットフォーム
として考えられています。現在Soitecは、SOIウェハの80%以上を生産しています。
フランスのベルナン(Bernin)に本社(および施設内に2つの量産部門)
を置くSoitecは、米国、日本、および台湾にもオフィスを有し、シンガポールで
は新工場の顧客認定が進行中です。その他、Picogiga International
(Les Ulis、レジュリス)とTracit Technologies(Bernin、ベルナン)という
2つのビジネス・ユニットがあります。ピコギガ・インターナショナルは
複合材料業界に向けて、III-Vエピウェハおよび窒化ガリウム(GaN)ウェハを
含む、高周波エレクトロニクスやその他の光電子デバイス製造用の先進的基板
ソリューションを供給しています。一方、トラシット・テクノロジーズは、
パワーICおよびマイクロシステム向け加工基板の製造に使用される薄膜層
トランスファ技術、および一般的な回路トランスファ技術、イメージ・センサや
3D集積化などのアプリケーション向けのSmart Stacking(TM)を提供しています。
Soitecグループの株式はパリ証券取引所(Euronext Paris)に上場されています。
詳細については、www.soitec.comをご覧ください。