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Mdmesh(TM) V MOSFETの電力密度を向上させる画期的なパワー・パッケージを発表
[10/05/11]
提供元：PRTIMES
提供元：PRTIMES
MDmesh(TM) V技術の電力効率のメリットを最大化する新パッケージ
パワー半導体分野で世界をリードするSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、
以下ST）は、最新世代のパワーMOSFET技術であるMDmesh(TM) Vの電力密度を
向上させる先進的高性能パワー・パッケージを発表しました。
この新しい表面実装型パッケージ（厚み：1mm）は、外寸僅か8 x 8mmのリードレス・
パッケージに業界標準のTO-220サイズのダイを封止し、内部で発生する熱を
効率的に除去するための露出金属ドレイン・パッドを備えています。設計者は、
この低背性を利用して電源筐体を薄型化できるため、市場に適したコンパクトで
スタイリッシュな新製品を実現できます。この革新的パッケージは、STと
Infineon Technologies社のMOSFETに採用され、STからはPowerFLAT(TM) 8x8 HV、
Infineon社からはThinPAK(TM) 8x8という製品名で発表される予定です。そのため、
顧客は、高品質な代替サプライヤを確保することができます。
新パッケージのコンパクトなフォーム・ファクタおよび高い放熱性能と、STの
MDmesh V技術によるダイ面積当りの極めて低いオン抵抗が組み合わさることにより、
電力密度と信頼性が最大化され、基板の省スペース化が可能になります。STは
PowerFLAT 8x8 HVを採用したMOSFETをMDmesh V製品のポートフォリオに
追加していく予定です。そして、その最初の製品であるSTL21N65M5（650耐圧）を
発表しました。
STのパワー・トランジスタ事業部マーケティング・ディレクターであるMaurizio
Giudiceは、次の様にコメントしています。「Infineon社との共同作業の成果と
して高性能なパッケージが誕生し、世界的な半導体メーカー2社がサポートする
最先端の設計よって、実装におけるメリットをお客様に提供します。STの新しい
MOSFETは、この画期的なパッケージと、業界最先端のST独自のMDmesh Vプロセス
技術を組み合わせた製品で、同クラスの電圧定格のデバイス中で最も高い
電力密度と電力効率を実現します。」
STL21N65M5の主な特徴
・オン抵抗：0.190Ω
・最大定格電流（ID）：17A
・接合部・ケース間熱抵抗（Rthj-c）：1.0℃/W
PowerFLAT 8x8 HVパッケージで提供されるSTL21N65M5は、現在サンプル提供中で、
2010年7月より量産を開始する予定です。単価は、10個購入時に約8.00ドルです。
PowerFLAT 8x8 HVパッケージの詳細は、
http://www.st.com/powerflat8x8 をご覧下さい。
STのMDmesh(TM) V技術について
MDmesh Vは、スイッチング性能の大幅な低下を伴わずに導通損失を最小化する、
最新のマルチドレイン・メッシュ技術です。この技術を採用して製造されたMOSFETに
より、電子機器のさらなる効率化を提唱する各種環境対応規格に適合した設計が
可能になります。さらに、ワット当りコストの低減を進める上で、電力変換時の
損失最小化が極めて重要になる再生可能エネルギーといった急成長中の分野にも
適しています。
MDmesh V構造は、ドレイン・ソース間電圧降下を減少させる改良された
トランジスタ・ドレイン構造を備えています。その結果、極めて低いシリコン・
ダイ面積当りオン抵抗を実現しているため、小型サイズで超低導通損失が可能に
なります。MDmesh V技術を採用した650V耐圧のMOSFETは、標準TO-220パッケージ
搭載時に世界最小の低オン抵抗を実現しています。
また、MDmesh V技術を採用した製品はゲート電荷量（Qg）が低いため、高速で
高いエネルギー効率のスイッチングを可能にし、低いオン抵抗 × Qgの性能指数
（Figure of Merit、FOM）を実現します。650V耐圧というブレークダウン電圧も
競合製品の600Vより高く、設計者にとって貴重な安全マージンが拡大します。
MDmesh V技術を採用した製品は高いVdss定格と高いdV/dt能力を備えており、
100%アバランシェ試験済みです。さらに、きれいなターン・オフ波形により、
ゲート制御が容易で、EMIフィルタの必要性が減少します。
MDmesh V技術を採用したMOSFETは、既にTO-220、TO-220FP、I2PAK、TO-247、
Max247等の各種業界標準パッケージで提供されています。
詳細は、http://www.st.com/mdmeshv をご覧ください。
また、本プレスリリースは以下のURLでもご覧いただけます。
http://www.st-japan.co.jp/data/press/p3004d.html
MDmeshはSTマイクロエレクトロニクスの商標です。その他のすべての商標または登
録商標は、それぞれの所有者の財産です。
STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な技術力
と設計ノウハウ、そして幅広いIP（Intellectual Property）ポートフォリオ、
戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することにより、マルチメディア・
コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて他社の追随を許さない
リーダーとなることを目指しています。2009年の売上は85.1億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人:http://www.st-japan.co.jp
STグループ（英語）:http://www.st.com
◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス（株）
APMグループ
TEL：03-5783-8250 FAX：03-5783-8216
パワー半導体分野で世界をリードするSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、
以下ST）は、最新世代のパワーMOSFET技術であるMDmesh(TM) Vの電力密度を
向上させる先進的高性能パワー・パッケージを発表しました。
この新しい表面実装型パッケージ（厚み：1mm）は、外寸僅か8 x 8mmのリードレス・
パッケージに業界標準のTO-220サイズのダイを封止し、内部で発生する熱を
効率的に除去するための露出金属ドレイン・パッドを備えています。設計者は、
この低背性を利用して電源筐体を薄型化できるため、市場に適したコンパクトで
スタイリッシュな新製品を実現できます。この革新的パッケージは、STと
Infineon Technologies社のMOSFETに採用され、STからはPowerFLAT(TM) 8x8 HV、
Infineon社からはThinPAK(TM) 8x8という製品名で発表される予定です。そのため、
顧客は、高品質な代替サプライヤを確保することができます。
新パッケージのコンパクトなフォーム・ファクタおよび高い放熱性能と、STの
MDmesh V技術によるダイ面積当りの極めて低いオン抵抗が組み合わさることにより、
電力密度と信頼性が最大化され、基板の省スペース化が可能になります。STは
PowerFLAT 8x8 HVを採用したMOSFETをMDmesh V製品のポートフォリオに
追加していく予定です。そして、その最初の製品であるSTL21N65M5（650耐圧）を
発表しました。
STのパワー・トランジスタ事業部マーケティング・ディレクターであるMaurizio
Giudiceは、次の様にコメントしています。「Infineon社との共同作業の成果と
して高性能なパッケージが誕生し、世界的な半導体メーカー2社がサポートする
最先端の設計よって、実装におけるメリットをお客様に提供します。STの新しい
MOSFETは、この画期的なパッケージと、業界最先端のST独自のMDmesh Vプロセス
技術を組み合わせた製品で、同クラスの電圧定格のデバイス中で最も高い
電力密度と電力効率を実現します。」
STL21N65M5の主な特徴
・オン抵抗：0.190Ω
・最大定格電流（ID）：17A
・接合部・ケース間熱抵抗（Rthj-c）：1.0℃/W
PowerFLAT 8x8 HVパッケージで提供されるSTL21N65M5は、現在サンプル提供中で、
2010年7月より量産を開始する予定です。単価は、10個購入時に約8.00ドルです。
PowerFLAT 8x8 HVパッケージの詳細は、
http://www.st.com/powerflat8x8 をご覧下さい。
STのMDmesh(TM) V技術について
MDmesh Vは、スイッチング性能の大幅な低下を伴わずに導通損失を最小化する、
最新のマルチドレイン・メッシュ技術です。この技術を採用して製造されたMOSFETに
より、電子機器のさらなる効率化を提唱する各種環境対応規格に適合した設計が
可能になります。さらに、ワット当りコストの低減を進める上で、電力変換時の
損失最小化が極めて重要になる再生可能エネルギーといった急成長中の分野にも
適しています。
MDmesh V構造は、ドレイン・ソース間電圧降下を減少させる改良された
トランジスタ・ドレイン構造を備えています。その結果、極めて低いシリコン・
ダイ面積当りオン抵抗を実現しているため、小型サイズで超低導通損失が可能に
なります。MDmesh V技術を採用した650V耐圧のMOSFETは、標準TO-220パッケージ
搭載時に世界最小の低オン抵抗を実現しています。
また、MDmesh V技術を採用した製品はゲート電荷量（Qg）が低いため、高速で
高いエネルギー効率のスイッチングを可能にし、低いオン抵抗 × Qgの性能指数
（Figure of Merit、FOM）を実現します。650V耐圧というブレークダウン電圧も
競合製品の600Vより高く、設計者にとって貴重な安全マージンが拡大します。
MDmesh V技術を採用した製品は高いVdss定格と高いdV/dt能力を備えており、
100%アバランシェ試験済みです。さらに、きれいなターン・オフ波形により、
ゲート制御が容易で、EMIフィルタの必要性が減少します。
MDmesh V技術を採用したMOSFETは、既にTO-220、TO-220FP、I2PAK、TO-247、
Max247等の各種業界標準パッケージで提供されています。
詳細は、http://www.st.com/mdmeshv をご覧ください。
また、本プレスリリースは以下のURLでもご覧いただけます。
http://www.st-japan.co.jp/data/press/p3004d.html
MDmeshはSTマイクロエレクトロニクスの商標です。その他のすべての商標または登
録商標は、それぞれの所有者の財産です。
STマイクロエレクトロニクスについて
STマイクロエレクトロニクスは、多種多様な電子機器向けに革新的な半導体
ソリューションを提供する世界的な総合半導体メーカーです。STは、高度な技術力
と設計ノウハウ、そして幅広いIP（Intellectual Property）ポートフォリオ、
戦略的パートナーシップ、大規模な製造力を駆使することにより、マルチメディア・
コンバージェンスとパワー・アプリケーションにおいて他社の追随を許さない
リーダーとなることを目指しています。2009年の売上は85.1億ドルでした。
さらに詳しい情報はSTのホームページをご覧ください。
ST日本法人:http://www.st-japan.co.jp
STグループ（英語）:http://www.st.com
◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス（株）
APMグループ
TEL：03-5783-8250 FAX：03-5783-8216
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