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フリースケール、2.45GHzで動作する新しいRFシステム制御と信頼性をさらに拡充
[15/09/30]
提供元：PRTIMES
提供元：PRTIMES
新たなRFパワー・トランジスタおよび対応する計測ツールにより、 産業および医療アプリケーションへの半導体技術の導入を簡素化
2015年9月8日米国Freescale Semiconductor, Inc.発表本文の抄訳です。
フリースケール・セミコンダクタ（NYSE：FSL）は、半導体によるRFパワーの利点を2450MHzで動作させる幅広いシステムで活用する新たなRFパワー・トランジスタを発表しました。マグネトロンなどの真空管世代の技術に取って代わることを目指したMRF7S24250Nは、加熱/乾燥、素材溶接、プラズマ・ライティング・システムなどの産業アプリケーションに加えて、皮膚治療、無輸血手術、がん治療などの医療アプリケーション向け製品に対して極めて優れた精度、制御、信頼性の実現を可能にします。
MRF7S24250Nは、最大250Wまでのすべての範囲で高精度の電力制御を行うため、産業用マグネトロンに比べて簡単に導入することが可能です。また、周波数と位相の切り替えが可能で、必要に応じてRFエネルギーを供給するという新たなユース・ケースの範囲も広がります。さらに、トランジスタは数十万時間にわたる性能劣化のない稼働が可能な半導体機器の特性を備えており、定格の電力レベルが維持されるために定期保守でターゲット・システムを一時的に停止させる必要がありません。
新しい32V RFパワーLDMOSトランジスタは、250W CW（連続波）を14.5dBのゲインと55%の効率性で達成する能力があります。パッケージは、これまでに発表したMRFE6VP61K25N、MRFE6VP6600N、およびMRF8VP13350Nトランジスタと同じプラスチック・パッケージ技術を採用し、熱抵抗は業界標準のエアキャビティ・セラミック・トランジスタ・パッケージとの比較で最大で30%低減しています。そのため、トランジスタの接合部温度が低下し、放熱条件の緩和により全体のシステム・コストが削減されます。
半導体RFパワーへの容易な移行
MRF7S24250Nにはフリースケールの新たなRFパワー・ツールが用意されるため、高価な検査設備やRF技術に関する幅広い知識を必要とせずに、半導体RF技術を簡単に利用することができます。このツールは、PC上で稼働して信号生成器および計測ベンチとして機能し、トランジスタ温度や反射電力をはじめとする10個のデータ・ポイントを計測することが可能です。
フリースケールのRF部門のRFインダストリアル・オペレーション・リーダーであるピエール・ピアは、次のように述べています。「半導体RFパワー・トランジスタの信頼性および高度な制御という有意性はずっと理解されていましたが、産業システムの設計者は現在に至るまでそれを簡単に導入して最大限に活用するためのツールを手にすることができませんでした。フリースケールの新しいツールは、フリースケールの最先端のコンポーネントの能力を引き出し、市場への迅速投入および開発コストの削減という大きな価値を創出します。」
供給
MRF7S24250Nは現在量産出荷中で、リファレンス回路およびRFパワー・ツールの利用が可能なRFパワー・アンプ・モジュールの提供も行っています。サンプル製品および価格については、フリースケール・セミコンダクタ、フリースケール代理店、およびフリースケール正規販売店にお問い合わせください。フリースケールのトランジスタ製品の詳細については、www.freescale.com/MRF7S24250NのWebサイトをご覧ください。RFパワー・ツールの詳細については、www.freescale.com/rfpowertoolのWebサイトをご覧ください。
FreescaleならびにFreescaleのロゴマークはFreescale Semiconductor Inc.,Reg. U.S. Pat. & Tm. Off.の商標、または登録商標です。文中に記載されている他社の製品名、サービス名等はそれぞれの所有者が権利を保有しています。
(C)2015フリースケール・セミコンダクタ・インク
2015年9月8日米国Freescale Semiconductor, Inc.発表本文の抄訳です。
フリースケール・セミコンダクタ（NYSE：FSL）は、半導体によるRFパワーの利点を2450MHzで動作させる幅広いシステムで活用する新たなRFパワー・トランジスタを発表しました。マグネトロンなどの真空管世代の技術に取って代わることを目指したMRF7S24250Nは、加熱/乾燥、素材溶接、プラズマ・ライティング・システムなどの産業アプリケーションに加えて、皮膚治療、無輸血手術、がん治療などの医療アプリケーション向け製品に対して極めて優れた精度、制御、信頼性の実現を可能にします。
MRF7S24250Nは、最大250Wまでのすべての範囲で高精度の電力制御を行うため、産業用マグネトロンに比べて簡単に導入することが可能です。また、周波数と位相の切り替えが可能で、必要に応じてRFエネルギーを供給するという新たなユース・ケースの範囲も広がります。さらに、トランジスタは数十万時間にわたる性能劣化のない稼働が可能な半導体機器の特性を備えており、定格の電力レベルが維持されるために定期保守でターゲット・システムを一時的に停止させる必要がありません。
新しい32V RFパワーLDMOSトランジスタは、250W CW（連続波）を14.5dBのゲインと55%の効率性で達成する能力があります。パッケージは、これまでに発表したMRFE6VP61K25N、MRFE6VP6600N、およびMRF8VP13350Nトランジスタと同じプラスチック・パッケージ技術を採用し、熱抵抗は業界標準のエアキャビティ・セラミック・トランジスタ・パッケージとの比較で最大で30%低減しています。そのため、トランジスタの接合部温度が低下し、放熱条件の緩和により全体のシステム・コストが削減されます。
半導体RFパワーへの容易な移行
MRF7S24250Nにはフリースケールの新たなRFパワー・ツールが用意されるため、高価な検査設備やRF技術に関する幅広い知識を必要とせずに、半導体RF技術を簡単に利用することができます。このツールは、PC上で稼働して信号生成器および計測ベンチとして機能し、トランジスタ温度や反射電力をはじめとする10個のデータ・ポイントを計測することが可能です。
フリースケールのRF部門のRFインダストリアル・オペレーション・リーダーであるピエール・ピアは、次のように述べています。「半導体RFパワー・トランジスタの信頼性および高度な制御という有意性はずっと理解されていましたが、産業システムの設計者は現在に至るまでそれを簡単に導入して最大限に活用するためのツールを手にすることができませんでした。フリースケールの新しいツールは、フリースケールの最先端のコンポーネントの能力を引き出し、市場への迅速投入および開発コストの削減という大きな価値を創出します。」
供給
MRF7S24250Nは現在量産出荷中で、リファレンス回路およびRFパワー・ツールの利用が可能なRFパワー・アンプ・モジュールの提供も行っています。サンプル製品および価格については、フリースケール・セミコンダクタ、フリースケール代理店、およびフリースケール正規販売店にお問い合わせください。フリースケールのトランジスタ製品の詳細については、www.freescale.com/MRF7S24250NのWebサイトをご覧ください。RFパワー・ツールの詳細については、www.freescale.com/rfpowertoolのWebサイトをご覧ください。
FreescaleならびにFreescaleのロゴマークはFreescale Semiconductor Inc.,Reg. U.S. Pat. & Tm. Off.の商標、または登録商標です。文中に記載されている他社の製品名、サービス名等はそれぞれの所有者が権利を保有しています。
(C)2015フリースケール・セミコンダクタ・インク
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