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オン・セミコンダクタ、ポータブル・アプリケーション用の業界最小パッケージ、最高スペース性能のショットキ・バリア・ダイオードを発表
[09/08/21]
提供元：DreamNews
提供元：DreamNews
2009年8月21日 - 高性能・高エネルギー効率シリコン・ソリューションの大手グローバル・サプライヤであるオン・セミコンダクタ（Nasdaq: ONNN）は、4種類の新しい30 Vショットキ・バリア・ダイオードを発表しました。
超小型0201デュアル・シリコン・リードレス(DSN2)チップ・レベル・パッケージに収納された新しいショットキ・バリア・ダイオードは、ポータブル電子機器の設計者に、業界最小のショットキ・ダイオードとクラス最高のスペース性能の両方を提供します。
これらの新しいショットキ・ダイオードには、順電流定格が100 mAまたは200 mAで低順電圧または低逆電流特性を備えたデバイスがあります。低逆電流デバイスは業界最小の定格200 mAのパーツです。これらは、携帯端末、MP3プレイヤ、デジタル・カメラなど、ボード・スペースが制限される多数のアプリケーションに対して理想的なソリューションを提供します。
オン・セミコンダクタの小信号デバイス事業部の取締役兼ジェネラル・マネージャDan Huettlは、次のように述べています。「当社のお客様は、スペースが制約されたアプリケーションで、ボード・レイアウトとシステム性能を最適化することに日々挑戦しています。」「オン・セミコンダクタは、ポータブル・アプリケーションでの最適化された電源管理を追及するシステム設計者に、超小型0201 DSN-2ショットキ・バリア・ダイオードで応えました。」
デバイス
これらのショットキ・ダイオードには、パッケージの下に半田付け可能なメタル・コンタクトがあり、パッケージ面積の100%をアクティブ・シリコンに利用可能です。新しい0201 DSN-2パッケージは、サイズがわずか0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mmで、一般的なSOD-923（別名0402）パッケージ（サイズ：1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm）と比べて、ボード・スペースを1/3に節約できます。これらは、市場で最小のリーク電流を達成しており、設計者は電力損失、効率、スイッチング速度の改善を図ることができます。また、従来のプラスチック・モールド・パッケージに収納された競合デバイスと比べて、ボード面積当たりの性能が大幅に向上しています。クラス最高の電源管理機能を備えており、ポータブル機器アプリケーションでのバッテリ寿命の延長にも役立ちます。
NSR0xF30NXT5Gシリーズのデバイスは、低順電圧降下(Vf)370 mV（10 mA時）に対して最適化され、このシリーズの最新高性能仕様が一段と強化されています。NSR0xL30NXT5Gシリーズのデバイスは、10 Vの逆電圧時に0.2μAの低逆電流(Ir)を実現するように設計されており、リーク電流が非常に少ないためバッテリ寿命を延長します。これら2つのシリーズは、人体モデルに対しクラス3B、マシン・モデルに対してクラスCのESD定格と低い熱抵抗を提供し、増大の一途を辿る回路量を小さなスペースに組み込むのに尽力するデザイン・エンジニアをサポートします。これらのショットキ・ダイオードはRoHSに準拠し、動作温度範囲は-40°C〜+125°Cで、厳しい屋内および屋外環境向け装置で使用するのに適しています。
詳細な技術情報については、Edwin Romero（Edwin.Romero@onsemi.com）に連絡するか、http://www.onsemi.jp にアクセスしてください。
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