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9月24日(木) AndTech「CMOS 2.0時代を拓くハイブリッドボンディング最新技術 〜ロジック・メモリ・イメージセンサ・異種材料集積の最新技術〜」WEBオンラインZoomセミナーを開催予定

横浜国立大学 井上 史大 氏、ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社  小川 直樹 氏、東北大学 日暮 栄治 氏の3名にご講演をいただきます。




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 株式会社AndTech(本社:神奈川県川崎市、代表取締役社長:陶山 正夫、以下 AndTech)は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、ハイブリッドノンディングの第一人者の講師からなる「CMOS 2.0時代を拓くハイブリッドボンディング最新技術 〜ロジック・メモリ・イメージセンサ・異種材料集積の最新技術〜」講座を開講いたします。
 半導体微細化の限界を背景に、AI時代の性能向上を支える新たな進化軸として3D集積が重要性を増し、NAND・3D DRAM・ロジック・チップレット・光電融合まで応用領域が拡大しています。中でもハイブリッド接合はサブミクロン配線やデバイス積層を可能にする基盤技術として位置付けられ、CMOSイメージセンサではCu-Cu接合が高感度化・高機能化を支える要素技術となり、微細Cuパッドによる新たな開発も進展しています。また、異種材料集積を実現する接合技術では低温化が大きな課題であり、常温・低温接合のメカニズムと最新動向が重要テーマとなっています。これらを総合し、CMOS 2.0時代に向けた役割と展望を解説します。
本講座は、2026年9月24日開講を予定しております。
詳細:https://andtech.co.jp/seminars/1f19a0b9-5d93-6c84-81d1-064fb9a95405

- Live配信・WEBセミナー講習会 概要

テーマ:CMOS 2.0時代を拓くハイブリッドボンディング最新技術 〜ロジック・メモリ・イメージセンサ・異種材料集積の最新技術〜
開催日時:2026年09月24日(木) 13:00-16:35
参 加 費:60,500円(税込) ※ 電子にて資料配布予定
U R L :https://andtech.co.jp/seminars/1f19a0b9-5d93-6c84-81d1-064fb9a95405
WEB配信形式:Zoom(お申し込み後、URLを送付)

- セミナー講習会内容構成

 ープログラム・講師ー
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第1部 ハイブリッド接合が牽引する3D集積革命 ― CMOS 2.0時代の共通基盤技術 ―

講師:横浜国立大学 准教授
    井上 史大 氏
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第2部 Cu-Cuハイブリッド接合技術を用いたCMOSイメージセンサの進化

講師:ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 研究開発センター 第2研究部門 2部
    小川 直樹 氏
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第3部 ハイブリッドボンディングを用いた異種材料集積化のための常温・低温接合技術の基礎と実際

講師:東北大学 大学院工学研究科電子工学専攻/教授 
    日暮 栄治 氏


- 本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題

 ・ハイブリッド接合が配線、デバイス積層、システム統合、さらには半導体産業構造そのものを変える技術であることの重要性および国際動向について

 ・半導体デバイス製造に用いられるさまざまな接合技術の基礎(接合原理や評価技術)

 ・常温・低温接合技術の基礎知識と最新動向

 ・成功事例から学ぶ接合技術の応用に関する情報

 ・今後の接合技術の課題と展望


- 本セミナーの受講形式

 WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
 詳細は、お申し込み後お伝えいたします。

- 株式会社AndTechについて

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 化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
 弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
 クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
  https://andtech.co.jp/

- 株式会社AndTech 技術講習会一覧

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一流の講師のWEB講座セミナーを毎月多数開催しております。
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- 株式会社AndTech 書籍一覧

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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
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- 株式会社AndTech コンサルティングサービス

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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
https://andtech.co.jp/business-consulting

- 本件に関するお問い合わせ

株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス:pr●andtech.co.jp(●を@に変更しご連絡ください)

- 下記プログラム全項目(詳細が気になる方は是非ご覧ください)

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第1部 ハイブリッド接合が牽引する3D集積革命 ― CMOS 2.0時代の共通基盤技術

【講演主旨】
 半導体の微細化が限界に近づく中、3D集積技術はAI時代の性能向上を支える新たな進化軸となっている。その中核技術であるハイブリッド接合は、従来のバンプ接続の延長ではなく、サブミクロン配線やデバイス積層を可能にする新たな集積基盤技術として位置付けられている。本講演ではNAND、3D DRAM、ロジック、チップレット、光電融合など最新の技術動向を俯瞰するとともに、ハイブリッド接合の要素技術、量産化に向けた課題、さらにCMOS 2.0時代における役割と今後の展望について紹介する。

【プログラム】
 1. AIが変えた半導体開発競争
 2. なぜ今、ハイブリッド接合なのか
 3. ハイブリッド接合が変える半導体アーキテクチャ
 4. 世界の開発競争最前
 5. まとめ:3D集積は技術競争から産業競争へ
 質疑応答

【講演者の最大のPRポイント】
 講演者は、imec在籍時代より3D集積・ハイブリッド接合技術の研究開発に最初期から携わり、現在も国内外の先端半導体企業と共同で、300 mmウエハ接合、SiCN/SiCNハイブリッド接合、接合界面評価、信頼性評価に関する研究を推進している。ECTCをはじめとする主要国際会議での継続的な発表実績を有し、ハイブリッド接合を「先端パッケージング技術」ではなく、次世代3D半導体集積を支える基盤技術として捉える視点から、世界の開発競争と今後の展望を解説する。


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第2部 Cu-Cuハイブリッド接合技術を用いたCMOSイメージセンサの進化

【講演主旨】
 スマートフォンや車載カメラ、産業・医療機器など、幅広い分野で用いられているCMOSイメージセンサでの高感度化・高機能化を支える技術の一つが、Cu-Cuハイブリッド接合です。近年では、CMOSイメージセンサ以外の半導体デバイスにも応用が広がっており、微細Cuパッドを用いた接合技術の開発も進められています。
 本講演では、Cu-Cuハイブリッド接合の概要や技術課題を紹介するとともに、基板積層技術を用いたCMOSイメージセンサへの適用例や、最新の技術開発についてご紹介します。

【プログラム】
 1. イメージセンサと半導体積層技術
   ・基板積層技術を用いたイメージセンサの歴史

 2. Cu-Cuハイブリッド接合技術と接合ピッチの進化
  ・Cu-Cuハイブリッド接合の概要
  ・Cu-Cuハイブリッド接合における技術課題
  ・微細ピッチにおける技術開発状況

 3. Cu-Cuハイブリッド接合技術を用いたイメージセンサの進化
  ・イメージセンサにおける高密度化
  ・積層技術を用いたイメージセンサの適応例

 4. さらなるイメージセンサの進化に向けて
  ・イメージセンサの進化軸

 質疑応答

【講演の最大のPRポイント】
 ・Cu-Cuハイブリット接合は、CMOSイメージセンサが世界初の実用化を実現しました。
 ・Cu-Cuハイブリット接合を用いたイメージセンサへの適用や、最新の開発状況について解説します。


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第3部 ハイブリッドボンディングを用いた異種材料集積化のための常温・低温接合技術の基礎と実際

【講演主旨】
 近年、小型、低消費電力、高放熱、高出力などの優れた特性を持つ高性能・高機能半導体デバイスの実現に向けて、異種材料や異種機能を集積する「ヘテロジニアス集積技術」が重要な役割を果たすと注目を集めています。
 このヘテロジニアス集積を実現するための重要な要素技術が「接合技術」です。例えば、AI技術の急速な進展を背景に、先端半導体ではパッケージング技術によって進化(高性能化・低消費電力化)を牽引する動きが加速しており、ハイブリッドボンディングの開発が盛んに進められています。
 こうしたヘテロジニアス集積に向けた接合技術において、大きな課題の一つとなっているのが「接合プロセスの低温化」です。本講演では、特に『常温・低温接合技術』に焦点を当てます。その基礎メカニズムを解説するとともに、具体的なデバイスを例に挙げながら、最新の開発動向および今後の展望についてご紹介します。

【プログラム】
1. パッケージング分野から見た半導体を取り巻く状況
  1) チップレットを実現する先端パッケージング技術
 2) 半導体・デジタル産業戦略の現状と今後
 2) 次世代半導体のアカデミアにおける研究開発と人材育成
 3) トップカンファレンスECTCの状況

 2. 半導体デバイス製造に用いられる様々な接合技術の概要

 3. 低温接合プロセスの基礎と応用
  1) 表面活性化接合およびプラズマ活性化接合による半導体の直接接合
 a) Ge/Ge接合(急峻な不純物濃度勾配の実現)
 b) GaAs/SiC接合(高放熱構造の実現)
 2) 中間層を介した低温接合
  a) Auを介した大気中での常温接合(マルチチップ接合)
 b) ポリシラザンを介した常温接合(フォトニクス応用)
 c) ハイブリッドボンディング(半導体の3D集積化)

 4.今後の開発動向
 1) ハイブリッドボンディング

 5.おわりに

 質疑応答

【講演の最大のPRポイント】
 半導体パッケージング分野のトップカンファレンスである国際会議ECTCでの発表など、最新の動向と今後の課題を、具体例を挙げながら解説します。



* 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
* 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。

以 上
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