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調査期間: 2023年01月04日ー01月11日

調査業者: SDKI

調査対象: 当社は、あらゆる規模の 536の市場プレーヤーに対して調査を実施しました。

調査方法: 実地調査 224、インターネット調査312

調査回答者： 調査は、収益に基づいて企業を対象に実施されました。

調査結果:

質問: ワイド バンド ギャップ半導体市場の現在と推定の規模はどのくらいですか?

ワイド バンド ギャップ半導体市場は、2022 年時点で約 15 億米ドルと評価されており、2035 年までに 100 億米ドルに達すると推定されています。この市場は、2023-2035 年の予測期間中に 25% の CAGR で成長しています。

質問:ワイド バンド ギャップ半導体市場の成長を促進する要因は何ですか?

ワイド バンド ギャップ (WBG) 半導体市場の需要の高まりは、次の要因によるものです。-

エネルギー効率のためのWBG半導体の採用 – 米国エネルギー省は、ワイド バンド ギャップ半導体により、デバイスが非常に高い温度、電圧、および周波数で動作できるようになり、その結果、より強力でエネルギー効率が高くなると述べています。
商用および産業用アプリケーションにおけるWBG半導体の浸透の拡大- 窒化ガリウムと炭化ケイ素は、さまざまな商用および産業用途に広く使用されています。その中には、発光ダイオード (LED)、変換器、高電子移動度トランジスタ、PV インバーター、モーター ドライブなどがあります。
軍事用途でのWBG半導体の使用の増加 - WBG 半導体は、摂氏 300 度程度の高温で機能し、高出力レベルで動作することができます。それらの臨界電界密度は、従来の半導体と比較して10倍高いです。したがって、それらは軍事用途で大幅に使用されています。
無線アプリケーションにおけるワイドバンドギャップ半導体の使用の増加 - WBG半導体は自由電子速度が高いため、スイッチング速度が速くなり、高温と電力に対する耐久性が組み合わされます。それらは無線アプリケーションで価値があると考えられています。完全な無線システムは、単一の WBG デバイスを使用して作成できます。
データセンターにおけるワイドバンドギャップ半導体の需要拡大- WBG 半導体は、RF 信号処理および電力スイッチング アプリケーションで使用されます。データ管理の効率と一貫性を高めます。


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質問:ワイド バンド ギャップ半導体市場の成長を抑制している課題は何ですか?

ワイドバンドギャップ半導体の需要抑制の課題は以下のとおりです：

従来の半導体に比べてワイドバンドギャップ半導体の研究開発が不十分
均質な SiC および GaN 基板の熱伝導率の限界


質問: ワイド バンド ギャップ半導体市場の分類は何ですか？

ワイド バンド ギャップ半導体市場は次のように分類されます。:

素材別- 炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、ダイヤモンド、その他（酸化亜鉛、GaAsなど）

その中で、窒化ガリウム (GaN) は、GaN の電子移動度が SiC よりも高いため、最も注目されています。そのため、GaN は非常に高い周波数に最適なデバイスと考えられています。また、熱伝導率が高いため、窒化ガリウムは熱伝導効率が高いと見なされています。さらに、GaN は、逆回復、スイッチング エネルギー、速度、およびデッドタイムの損失に関して、SiC に比べて利点があります。
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アプリケーション別- ハイブリッド/電気自動車、PV インバーター、鉄道車両、風力タービン、電源、モーター ドライブ、サーバー、その他 (医療画像、充電器、アダプターなど)

このセグメントでは、サーバー カテゴリは、インターネット ユーザー数の増加とモノのインターネットの幅広いアプリケーションにより、最高の収益を獲得すると推定されています。

詳細はこちら https://bit.ly/400MgIF

最終用途産業別- 自動車と輸送、家電機器、航空宇宙と防衛、ITとテレコム、エネルギーとユーティリティ、その他（ヘルスケア、産業など）

LED、次世代DVDプレーヤー、充電器、変換器、PVインバーター、モータードライブなどにおけるWBG半導体の幅広い用途を考慮すると、家電機器のカテゴリーが最大の市場シェアを保持すると予想されます。
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質問:ワイド バンド ギャップ半導体市場の主要プレーヤーは?最近の発展は何ですか。

Panasonic Corporation, ROHM Semiconductor, Avago Technologies (Broadcom), Cree Inc., Infineon Technologies AG, Navitas Semiconductor, Nexperia, On Semiconductor, STMicroelectronics N.V., and Toshiba Electronic Devices および Storage Corporation. などは、ワイド バンド ギャップ半導体市場のいくつかの主要なプレーヤーです。

この分野の最新の開発は次のとおりです。-

Cree, Inc. は、Wolfspeed シリコン カーバイドおよび GaN on シリコン カーバイド ビジネスを拡大するため、これまでで最大の投資を発表しました。同社は、最先端の自動化された 200 mm 炭化ケイ素製造施設の開発、そして、ノースカロライナ州ダーラムにある米国キャンパス本社にある材料の巨大工場に、炭化ケイ素生産能力の拡大に最大 10 億米ドルを投資する予定です。
Infineon Technologies AG は、21.5 億米ドル以上を投資して、マレーシアのクリムにある自社サイトに 3 番目のモジュールを構築し、パワー半導体における市場でのリーダーシップを強化することを計画しています。同社は、ワイドバンドギャップ (SiC および GaN) 半導体の分野で大幅な製造能力を追加しています。また、完全装備の新しいモジュールは、炭化ケイ素と窒化ガリウムをベースにした製品で、年間 21.5 億米ドルの追加収益を生み出すと見込まれています。


質問:ワイド バンド ギャップ半導体市場で有利な成長機会を提供すると予想される地域はどれですか?

現在、ワイド バンド ギャップ半導体市場では、アジア太平洋地域が他の地域をリードしています。この地域の市場は、2021 年のワイド バンド ギャップ半導体の世界市場シェアの 49.3% を占めていました。この成長は、さまざまな研究開発活動におけるワイド バンド ギャップ半導体の使用の増加によるものです。家電機器、自動車、防衛、航空宇宙などの最終用途産業とは別に、IT および電気通信も、それぞれのセクターで WBG 技術を広く適用しています。中国政府と日本政府は、ワイド バンド ギャップ半導体の研究開発をますます支援しています。

北米地域とヨーロッパ地域の市場は、今後 10 年間で大きな成長機会が見込まれると予測されています。
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会社について：

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