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【矢野経済研究所調査結果サマリー】パワーモジュールの世界市場に関する調査結果 2014 −環境規制・省エネルギー化の影響を受けて2015年以降も2桁の成長で市場は拡大−

1.調査期間: 2014年11月〜2015年1月
2.調査対象: パワー半導体メーカ、パワーエレクトロニクス機器メーカ
3.調査方法: 当社専門研究員による直接面談、電話・e-mailによるヒアリング、ならびに文献調査併用

<パワーモジュールとは>
本調査におけるパワーモジュールとは、電力変換で使われるパワー半導体のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)とダイオードを複数個実装し、専用ケースに封入したIGBT モジュールや、IGBT モジュールなどに過電流や過熱などの保護回路を内蔵したIPM(Intelligent Power Module)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)を実装し封入したMOSFET モジュールを指す。
いずれも、搭載機器のインバータ/コンバータ回路に使われるが、回路構成に応じて様々な製品種類があり、モジュールの仕様(耐圧/電流値、サイズ、実装されるパワー半導体の数)も異なる。

◆ 2014年におけるパワーモジュールの世界市場は37.2億ドルの見込み
◆ パワーモジュール世界市場の2015年から2020年までの年平均成長率(CAGR)は12.0%で推移し、2020年には80.3億ドルに成長と予測
◆ 2020年における世界のパワーモジュールのメーカ出荷数量は2億2,224万8,000個と予測

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詳細プレスリリースは以下をご参照ください。
■YRIマーケットNow!
http://www.yano.co.jp/press/press.php/001357
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