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SiCをベースにしたパワーコンバーターの設計サイクルを加速するゲートドライブ評価プラットフォームを発表
[20/02/04]
提供元：DreamNews
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回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク （本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS） の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、「ゲートドライブ評価プラットフォーム（GDEV）」を、本年2月上旬に発売します。
【画像 https://www.dreamnews.jp/?action_Image=1&p=0000209571&id=bodyimage1】
同製品は、シリコンカーバイドMOSFET、SiCショットキーダイオード、ゲートドライバ回路などその他の周辺素子の評価をサポートします。これにより、連続動作条件下でコンバータを使用した場合にSiCがどのように動作するのか理解しやすくなります。この「GDEV」はヘッダーピン端子を備え、多くのSiC評価プラットフォームとは違い、異なるゲートドライブ回路を迅速かつ一貫して比較することが可能です。DC800Vのリンク入力電圧、及び最大200kHzのスイッチング周波数に対応します。
SiCは比較的新しい技術で、様々な条件での動作特性に関して研究段階であるため、この度発売する「GDEV」は、リテルヒューズのSiC技術にとって極めて重要な新製品となります。同製品によって、エンジニアが、SiC技術がもたらすエネルギー効率化の可能性についてさらに理解を深めることの一助となり、今後SiC技術がより多くの設計に採用されやすくなることを期待しています。
同製品は、当社の国内販売代理店を通じて販売します。
■特長
● 電力を負荷に供給しながら、定格電圧および定格電流におけるSiC MOSFET及びダイオードの連続動作を評価。
● 効率の改善、EMI放射、受動素子など、シリコンカーバイドをベースにした設計に付随するシステムレベルでの影響を分析（サイズ、重量、コスト）。
● 明確かつ最適化されたテスト条件下で、異なるゲートドライバソリューションの性能を比較。
● 連続動作条件下でゲートドライブ回路のテストを行い、ゲートドライバの温度性能およびEMI耐性を評価。
■用途
電気自動車／ハイブリッド自動車の充電スタンド、産業用電源、データセンターのサーバー、電気通信基地局、太陽光／風力インバータ
■仕様
・入力DCリンク電圧（V） 標準値：800 最大定格：900
・入力制御電圧（V） 標準値：12 最大定格：13.2
・入力冷却ファン電圧（V） 標準値：24 最大定格：26.2
・入力ロジック電圧（ゲートドライバ用）（V） 標準値：3.3 最大定格：5
・周囲温度（度） 標準値：25 最大定格：45
※詳細については、製品ページ（https://www.littelfuse.co.jp/technical-resources/technical-centers/silicon-carbide/sic-applications-support/gate-drive-evaluation-platform-lf-sic-evb-gdev1.aspx）をご覧ください。
リテルヒューズ について
Littelfuse, Inc.（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）は、回路保護、電力制御およびセンサー技術におけるグローバルリーダーです。当社の製品は150か国以上において販売され、自動車や産業向けのアプリケーション、データ・電気通信、医療機器、コンシューマー向け電化製品などに採用されています。リテルヒューズは、世界各国の1万2,000のパートナーと提携し、より安全で環境に配慮した、いつでもどこでもつながる世界へ向けた、革新的で高品質なソリューションを設計、製造、提供します。詳細についてはリテルヒューズのウェブサイトlittelfuse.comをご覧ください。
本件に関するお問い合わせ
Littelfuseジャパン合同会社
担当：宗形
TEL：03-6435-0750
FAX：03-3453-5505
E-mail：tmunakata@littelfuse.com
配信元企業：Littelfuse, Inc.
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同製品は、シリコンカーバイドMOSFET、SiCショットキーダイオード、ゲートドライバ回路などその他の周辺素子の評価をサポートします。これにより、連続動作条件下でコンバータを使用した場合にSiCがどのように動作するのか理解しやすくなります。この「GDEV」はヘッダーピン端子を備え、多くのSiC評価プラットフォームとは違い、異なるゲートドライブ回路を迅速かつ一貫して比較することが可能です。DC800Vのリンク入力電圧、及び最大200kHzのスイッチング周波数に対応します。
SiCは比較的新しい技術で、様々な条件での動作特性に関して研究段階であるため、この度発売する「GDEV」は、リテルヒューズのSiC技術にとって極めて重要な新製品となります。同製品によって、エンジニアが、SiC技術がもたらすエネルギー効率化の可能性についてさらに理解を深めることの一助となり、今後SiC技術がより多くの設計に採用されやすくなることを期待しています。
同製品は、当社の国内販売代理店を通じて販売します。
■特長
● 電力を負荷に供給しながら、定格電圧および定格電流におけるSiC MOSFET及びダイオードの連続動作を評価。
● 効率の改善、EMI放射、受動素子など、シリコンカーバイドをベースにした設計に付随するシステムレベルでの影響を分析（サイズ、重量、コスト）。
● 明確かつ最適化されたテスト条件下で、異なるゲートドライバソリューションの性能を比較。
● 連続動作条件下でゲートドライブ回路のテストを行い、ゲートドライバの温度性能およびEMI耐性を評価。
■用途
電気自動車／ハイブリッド自動車の充電スタンド、産業用電源、データセンターのサーバー、電気通信基地局、太陽光／風力インバータ
■仕様
・入力DCリンク電圧（V） 標準値：800 最大定格：900
・入力制御電圧（V） 標準値：12 最大定格：13.2
・入力冷却ファン電圧（V） 標準値：24 最大定格：26.2
・入力ロジック電圧（ゲートドライバ用）（V） 標準値：3.3 最大定格：5
・周囲温度（度） 標準値：25 最大定格：45
※詳細については、製品ページ（https://www.littelfuse.co.jp/technical-resources/technical-centers/silicon-carbide/sic-applications-support/gate-drive-evaluation-platform-lf-sic-evb-gdev1.aspx）をご覧ください。
リテルヒューズ について
Littelfuse, Inc.（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）は、回路保護、電力制御およびセンサー技術におけるグローバルリーダーです。当社の製品は150か国以上において販売され、自動車や産業向けのアプリケーション、データ・電気通信、医療機器、コンシューマー向け電化製品などに採用されています。リテルヒューズは、世界各国の1万2,000のパートナーと提携し、より安全で環境に配慮した、いつでもどこでもつながる世界へ向けた、革新的で高品質なソリューションを設計、製造、提供します。詳細についてはリテルヒューズのウェブサイトlittelfuse.comをご覧ください。
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Littelfuseジャパン合同会社
担当：宗形
TEL：03-6435-0750
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E-mail：tmunakata@littelfuse.com
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