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RF GaNの市場規模、2025年には20億米ドル超に到達予測 2020年のRF GaN特許の出願者は、中国組織が40％を支配
株式会社グローバルインフォメーションは、市場調査レポート「RF GaNの特許情勢（2020年）」 (KnowMade) の販売を11月27日より開始いたしました。
RF GaNの知的財産（IP）活動、次世代の通信および軍事技術の需要に牽引されて成長
無線周波数(RF)GaN市場は、主に電気通信や軍事用途に牽引され、目覚ましい成長を遂げています。GaN RF市場全体は、2019年の7億4000万米ドルから2025年には20億米ドル超に達し、CAGR12%で成長すると予想されています。
最初のRF GaN特許出願は1990年代に行われました。その活動は2004年に始動し、2015年から活発化しました。今日、知財のダイナミクスは、2つの大きな要因によって牽引されています。まず一つは 中国の存在であり、さらにもう一つは、下位のバリューチェーンへの知財のシフトです。中国の知財活動は2015年から加速しています。過去2年間で、中国からの特許の著しい増加と、RF GaNのIPランドスケープに参入する多くの中国の新規参入者を目の当たりにしています。2019年から2020年には、中国の組織が特許出願者の40％以上を占めました（アメリカ人＝23％、日本人＝10％、ヨーロッパ人＝3％）。中国企業によるRF GaN特許の増加は、中国が製造業からイノベーション主導の経済へと移行していく中で、より一般的な傾向です。この傾向は、商用無線通信アプリケーションの需要が爆発的に高まっている中国市場と、すでに次世代の通信ネットワークを開発している中国企業のRF業界の状況を反映しています。さらに、米中貿易戦争を受けて、中国に拠点を置く多くの企業が5Gインフラ用のGaN RFを社内で開発しようとしています。
ここ数年間の、GaN RFデバイスの技術と、製造のすべての障害に対処するための創造性には目を見張るものがあります。最近では、RF回路、パッケージング、モジュールシステムなど、バリューチェーンのさらに下のトピックでIP開発が加速しています。現在の特許活動は、異なるRF半導体デバイスのモノリシック統合、エピスタック、半導体デバイス、パッケージレベルでの熱管理、半導体デバイスと回路レベルでの直線性、回路レベルでの保護、マッチング、歪み補正など、製造と技術の課題を解決する必要があることを示唆しています。
GaN RFのリーディングカンパニーは、中国のIPを過小評価するべからず
RF GaN の特許は、Cree、富士通、住友電工、三菱電機、Intel、MACOM、東芝、Qorvo、Raytheon などのアメリカと日本の企業が独占しています。知財競争は、中国（640件以上）、日本（440件以上）、欧州（250件以上）とは対照的に、米国の特許付与件数が1200件以上と非常に多く、競争が激化しています。しかし、特許取得活動は現在中国に集中しています。
【 当レポートの詳細目次 】
https://www.gii.co.jp/report/knm969248-rf-gan-patent-landscape.html
ご購入検討用にレポートサンプルのご提供なども行っております（無料）。
【本件に関するお問合せは下記まで】
販売代理店 株式会社グローバルインフォメーション
Tel：044-952-0102
e-mail：jp-info@gii.co.jp
URL：https://www.gii.co.jp/
〒215-0004
神奈川県川崎市麻生区万福寺1-2-3 アーシスビル7F
RF GaNの知的財産（IP）活動、次世代の通信および軍事技術の需要に牽引されて成長
無線周波数(RF)GaN市場は、主に電気通信や軍事用途に牽引され、目覚ましい成長を遂げています。GaN RF市場全体は、2019年の7億4000万米ドルから2025年には20億米ドル超に達し、CAGR12%で成長すると予想されています。
最初のRF GaN特許出願は1990年代に行われました。その活動は2004年に始動し、2015年から活発化しました。今日、知財のダイナミクスは、2つの大きな要因によって牽引されています。まず一つは 中国の存在であり、さらにもう一つは、下位のバリューチェーンへの知財のシフトです。中国の知財活動は2015年から加速しています。過去2年間で、中国からの特許の著しい増加と、RF GaNのIPランドスケープに参入する多くの中国の新規参入者を目の当たりにしています。2019年から2020年には、中国の組織が特許出願者の40％以上を占めました（アメリカ人＝23％、日本人＝10％、ヨーロッパ人＝3％）。中国企業によるRF GaN特許の増加は、中国が製造業からイノベーション主導の経済へと移行していく中で、より一般的な傾向です。この傾向は、商用無線通信アプリケーションの需要が爆発的に高まっている中国市場と、すでに次世代の通信ネットワークを開発している中国企業のRF業界の状況を反映しています。さらに、米中貿易戦争を受けて、中国に拠点を置く多くの企業が5Gインフラ用のGaN RFを社内で開発しようとしています。
ここ数年間の、GaN RFデバイスの技術と、製造のすべての障害に対処するための創造性には目を見張るものがあります。最近では、RF回路、パッケージング、モジュールシステムなど、バリューチェーンのさらに下のトピックでIP開発が加速しています。現在の特許活動は、異なるRF半導体デバイスのモノリシック統合、エピスタック、半導体デバイス、パッケージレベルでの熱管理、半導体デバイスと回路レベルでの直線性、回路レベルでの保護、マッチング、歪み補正など、製造と技術の課題を解決する必要があることを示唆しています。
GaN RFのリーディングカンパニーは、中国のIPを過小評価するべからず
RF GaN の特許は、Cree、富士通、住友電工、三菱電機、Intel、MACOM、東芝、Qorvo、Raytheon などのアメリカと日本の企業が独占しています。知財競争は、中国（640件以上）、日本（440件以上）、欧州（250件以上）とは対照的に、米国の特許付与件数が1200件以上と非常に多く、競争が激化しています。しかし、特許取得活動は現在中国に集中しています。
【 当レポートの詳細目次 】
https://www.gii.co.jp/report/knm969248-rf-gan-patent-landscape.html
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