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三菱電機、パワー半導体「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ」サンプル提供開始
[20/06/16]
TOKYO, Jun 16, 2020 - (JCN Newswire) - 三菱電機株式会社は、パワー半導体の新製品として「SiC-MOSFET※1 1200V-Nシリーズ」6品種のサンプル提供を2020年7月に開始します。低電力損失と高い誤動作耐量を両立し、高電圧での電力変換を要する車載充電器や太陽光発電などのさまざまな電源システムの低消費電力化・小型化に貢献します。
なお、本製品は「PCIM Asia 2020」（11月16日〜18日、於：中華人民共和国・上海）に出展予定です。
新製品の特長
1. 高性能SiC-MOSFETを搭載し、電源システムの低消費電力化と小型化に貢献
- JFETドーピング技術※2を適用した新開発のSiC-MOSFET搭載することで、低オン抵抗と低スイッチング損失を両立し、業界最高水準※3の性能指数（FOM=1450mΩ・nC）※4を実現。従来のSi-IGBT品と比べて電力損失を約85％低減し、電源システムの低消費電力化に貢献
- 誤動作を誘引する帰還容量※5の低減により、一般的なSiC-MOSFETの課題である誤動作耐量を他社同等品比で約14倍改善※6。高速スイッチング動作が可能となり、スイッチング損失低減に寄与
- スイッチング損失低減による放熱機器の小型・簡素化や、高キャリア周波数※7駆動によるリアクトルなどの周辺部品の小型化により、システム全体での小型化と低コスト化に貢献
2. AEC-Q101準拠3品種を含む計6品種をラインアップし、幅広い用途に対応
- AEC-Q101※8に準拠した3品種を含む計6品種をラインアップ。車載充電器や太陽光発電などの幅広い電源システムに対応
本リリースの詳細は下記をご参照ください。
https://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2020/0616.html
概要：三菱電機株式会社
詳細は http://www.mitsubishielectric.co.jp をご覧ください。
Copyright 2020 JCN Newswire. All rights reserved. www.jcnnewswire.com
なお、本製品は「PCIM Asia 2020」（11月16日〜18日、於：中華人民共和国・上海）に出展予定です。
新製品の特長
1. 高性能SiC-MOSFETを搭載し、電源システムの低消費電力化と小型化に貢献
- JFETドーピング技術※2を適用した新開発のSiC-MOSFET搭載することで、低オン抵抗と低スイッチング損失を両立し、業界最高水準※3の性能指数（FOM=1450mΩ・nC）※4を実現。従来のSi-IGBT品と比べて電力損失を約85％低減し、電源システムの低消費電力化に貢献
- 誤動作を誘引する帰還容量※5の低減により、一般的なSiC-MOSFETの課題である誤動作耐量を他社同等品比で約14倍改善※6。高速スイッチング動作が可能となり、スイッチング損失低減に寄与
- スイッチング損失低減による放熱機器の小型・簡素化や、高キャリア周波数※7駆動によるリアクトルなどの周辺部品の小型化により、システム全体での小型化と低コスト化に貢献
2. AEC-Q101準拠3品種を含む計6品種をラインアップし、幅広い用途に対応
- AEC-Q101※8に準拠した3品種を含む計6品種をラインアップ。車載充電器や太陽光発電などの幅広い電源システムに対応
本リリースの詳細は下記をご参照ください。
https://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2020/0616.html
概要：三菱電機株式会社
詳細は http://www.mitsubishielectric.co.jp をご覧ください。
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