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フリースケール、先進的なプラスチック・パッケージを採用した革新的なウルトラワイドバンドRFパワーGaNトランジスタを発表
[15/05/29]
提供元：PRTIMES
提供元：PRTIMES
次世代の軍事/民生向け通信アプリケーションに最適な比類のない RF PA帯域幅と温度性能を実現する2種類の新製品
2015年5月18日米国Freescale Semiconductor, Inc.発表本文の抄訳です。
アリゾナ州フェニックス（2015 International Microwave Symposium）-2015年5月18日-RF（無線周波数）パワー・トランジスタのグローバル・リーダーであるフリースケール・セミコンダクタ（NYSE：FSL）は、先進的な最新プラスチック・パッケージを採用した2種類のウルトラワイドバンドRFパワーGaN（窒化ガリウム）トランジスタを発表しました。フリースケールでは以前から、GaN性能の真の潜在能力を十分理解し、業界最高の性能を備えたGaNデバイスを提供することを目標としてきました。今回の新パッケージと新製品は、この取り組みを大きく前進させるものです。
フリースケールの上席副社長兼RF部門担当ジェネラル・マネージャであるポール・ハートは、次のように述べています。「業界をリードする帯域幅を備えた2種類の新製品により、2パラレルまたは3パラレルの独立したRF PAを単一のRFラインナップで置き換えることができます。これにより、システム・コストが大幅に削減されます。また、新デバイスは熱抵抗が極めて低いため、冷却システムのコストも削減可能となり、以前と比べてケース温度がはるかに高い場合でも完全なCW定格出力で動作できます。」
2ピン構成と8ピン構成で提供される新しいOM-270パッケージは、フリースケールが独自開発したOMNI™ RFプラスチック・パッケージ技術を史上最小のパッケージに適用したもので、GaNの有意性を最大限に発揮させます。
フリースケールのRFパッケージ開発担当フェロー兼ディレクタであるマリ・マハリンガムは、次のように述べています。「フリースケールは、GaN-on-SiCチップを冶金的に銅フランジに結合する革新的な技術を開発しました。そして、オーバーモールドすることで、比類のない温度性能が実現します。また、この新パッケージ・プラットフォームは、高度な内部マッチング・スキームをサポートし、優れた広帯域特性を実現します。」
フリースケールでは、この先進的なパッケージ技術を最大限に活用して新次元の性能を実現する最初のプラスチックRFパワーGaNトランジスタとして、まず次の2種類の製品を導入します。
【MMRF5015N】
100W、50V、完全なCW定格出力のウルトラワイドバンドGaNトランジスタ。ハイ・パワーの軍事/民生向け通信システムに適しています。MMRF5015Nは、0.8℃/W未満の熱抵抗を誇り、競合製品に比べて30％以上性能が優れています。MMRF5015Nは、現在サンプル出荷中で、評価装置において、200〜2500MHzの帯域幅、最小12dBの利得、全体帯域幅にわたり40％の効率という比類のない性能を実証しています。
【MMRF5011N】
10W、28V、完全なCW定格出力のウルトラワイドバンド・トランジスタ。利用可能なアプリケーション回路において、200〜2600MHzの帯域幅を実証しています。ロー・パワーの軍事/民生向け携帯型無線通信機器に適しています。MMRF5011Nは、現在サンプル出荷中です。
どちらの製品も、2015年第3四半期に量産出荷を開始する予定です。また、他の軍事向けRF製品ポートフォリオと同様、フリースケールの長期製品供給プログラム（Product Longevity Program）の対象となっています。諸条件の詳細、ならびに対象製品のリストについては、www.freescale.com/productlongevityのWebサイトをご覧ください。
フリースケール・セミコンダクタについて
フリースケール・セミコンダクタ(NYSE:FSL)は、セキュアな組込みプロセッシング・ソリューションによって”Internet of Tomorrow”（モノのインターネットの先にある、よりセキュアなIoTソリューション）を実現します。フリースケールのソリューションは、より革新的で、世界を繋ぎ、私たちの生活をシンプルで安全なものにします。また、世界的な企業の役割として、次世代のイノベータを育むために、科学・技術・工学・数学（STEM）教育に貢献することを約束します。詳細は、http://www.freescale.com/のWebサイトをご覧ください。
フリースケール・テクノロジ・フォーラムについて
フリースケール・テクノロジ・フォーラム（FTF）は、業界で最も包括的な組込みエコシステムをテーマに掲げ、10年間にわたってイノベーションとコラボレーションを牽引してきました。FTFが提供するのは、現在および将来のモノのインターネット化に欠くことのできないセキュアな組込みソリューションを設計および完成させるためのトレーニングと専門技術です。FTFでは、4日間にわたる詳細なトレーニング、ハンズオン・ワークショップ、フリースケールやエコシステム・パートナーによるデモンストレーションが開催されるほか、同業種や先進的な知見をもった人々とのコラボレーションが生まれるチャンスもあります。このフォーラムは世界中の開発者コミュニティから圧倒的な支持をもって受け入れられ、2005年に開催を開始して以来、世界中の参加者は67,500人を超えています。次回のFTFはテキサス州オースチンで2015年6月22日〜25日の日程で開催されます。
FreescaleならびにFreescaleのロゴマークはFreescale Semiconductor Inc., Reg. U.S. Pat. & Tm. Off.の商標、または登録商標です。文中に記載されている他社の製品名、サービス名等はそれぞれの所有者が権利を保有しています。
(C)2015フリースケール・セミコンダクタ・インク
2015年5月18日米国Freescale Semiconductor, Inc.発表本文の抄訳です。
アリゾナ州フェニックス（2015 International Microwave Symposium）-2015年5月18日-RF（無線周波数）パワー・トランジスタのグローバル・リーダーであるフリースケール・セミコンダクタ（NYSE：FSL）は、先進的な最新プラスチック・パッケージを採用した2種類のウルトラワイドバンドRFパワーGaN（窒化ガリウム）トランジスタを発表しました。フリースケールでは以前から、GaN性能の真の潜在能力を十分理解し、業界最高の性能を備えたGaNデバイスを提供することを目標としてきました。今回の新パッケージと新製品は、この取り組みを大きく前進させるものです。
フリースケールの上席副社長兼RF部門担当ジェネラル・マネージャであるポール・ハートは、次のように述べています。「業界をリードする帯域幅を備えた2種類の新製品により、2パラレルまたは3パラレルの独立したRF PAを単一のRFラインナップで置き換えることができます。これにより、システム・コストが大幅に削減されます。また、新デバイスは熱抵抗が極めて低いため、冷却システムのコストも削減可能となり、以前と比べてケース温度がはるかに高い場合でも完全なCW定格出力で動作できます。」
2ピン構成と8ピン構成で提供される新しいOM-270パッケージは、フリースケールが独自開発したOMNI™ RFプラスチック・パッケージ技術を史上最小のパッケージに適用したもので、GaNの有意性を最大限に発揮させます。
フリースケールのRFパッケージ開発担当フェロー兼ディレクタであるマリ・マハリンガムは、次のように述べています。「フリースケールは、GaN-on-SiCチップを冶金的に銅フランジに結合する革新的な技術を開発しました。そして、オーバーモールドすることで、比類のない温度性能が実現します。また、この新パッケージ・プラットフォームは、高度な内部マッチング・スキームをサポートし、優れた広帯域特性を実現します。」
フリースケールでは、この先進的なパッケージ技術を最大限に活用して新次元の性能を実現する最初のプラスチックRFパワーGaNトランジスタとして、まず次の2種類の製品を導入します。
【MMRF5015N】
100W、50V、完全なCW定格出力のウルトラワイドバンドGaNトランジスタ。ハイ・パワーの軍事/民生向け通信システムに適しています。MMRF5015Nは、0.8℃/W未満の熱抵抗を誇り、競合製品に比べて30％以上性能が優れています。MMRF5015Nは、現在サンプル出荷中で、評価装置において、200〜2500MHzの帯域幅、最小12dBの利得、全体帯域幅にわたり40％の効率という比類のない性能を実証しています。
【MMRF5011N】
10W、28V、完全なCW定格出力のウルトラワイドバンド・トランジスタ。利用可能なアプリケーション回路において、200〜2600MHzの帯域幅を実証しています。ロー・パワーの軍事/民生向け携帯型無線通信機器に適しています。MMRF5011Nは、現在サンプル出荷中です。
どちらの製品も、2015年第3四半期に量産出荷を開始する予定です。また、他の軍事向けRF製品ポートフォリオと同様、フリースケールの長期製品供給プログラム（Product Longevity Program）の対象となっています。諸条件の詳細、ならびに対象製品のリストについては、www.freescale.com/productlongevityのWebサイトをご覧ください。
フリースケール・セミコンダクタについて
フリースケール・セミコンダクタ(NYSE:FSL)は、セキュアな組込みプロセッシング・ソリューションによって”Internet of Tomorrow”（モノのインターネットの先にある、よりセキュアなIoTソリューション）を実現します。フリースケールのソリューションは、より革新的で、世界を繋ぎ、私たちの生活をシンプルで安全なものにします。また、世界的な企業の役割として、次世代のイノベータを育むために、科学・技術・工学・数学（STEM）教育に貢献することを約束します。詳細は、http://www.freescale.com/のWebサイトをご覧ください。
フリースケール・テクノロジ・フォーラムについて
フリースケール・テクノロジ・フォーラム（FTF）は、業界で最も包括的な組込みエコシステムをテーマに掲げ、10年間にわたってイノベーションとコラボレーションを牽引してきました。FTFが提供するのは、現在および将来のモノのインターネット化に欠くことのできないセキュアな組込みソリューションを設計および完成させるためのトレーニングと専門技術です。FTFでは、4日間にわたる詳細なトレーニング、ハンズオン・ワークショップ、フリースケールやエコシステム・パートナーによるデモンストレーションが開催されるほか、同業種や先進的な知見をもった人々とのコラボレーションが生まれるチャンスもあります。このフォーラムは世界中の開発者コミュニティから圧倒的な支持をもって受け入れられ、2005年に開催を開始して以来、世界中の参加者は67,500人を超えています。次回のFTFはテキサス州オースチンで2015年6月22日〜25日の日程で開催されます。
FreescaleならびにFreescaleのロゴマークはFreescale Semiconductor Inc., Reg. U.S. Pat. & Tm. Off.の商標、または登録商標です。文中に記載されている他社の製品名、サービス名等はそれぞれの所有者が権利を保有しています。
(C)2015フリースケール・セミコンダクタ・インク
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