SEOに関連するニュースリリースを公開しております。
最新のサービス情報を、御社のプロモーション・マーケティング戦略の新たな選択肢としてご活用下さい。
フリースケール、初のセルラー基地局向けGaN RFパワー・トランジスタを発表
[15/05/29]
提供元：PRTIMES
提供元：PRTIMES
優れた効率、利得、RF出力を兼ね備えた最新デバイスをフリースケールの量産能力がサポート
2015年5月19日米国Freescale Semiconductor, Inc.発表本文の抄訳です。
アリゾナ州フェニックス（2015 International Microwave Symposium）-2015年5月19日-フリースケール・セミコンダクタ（NYSE：FSL）は、初のセルラー基地局向けGaN（窒化ガリウム）RFパワー・トランジスタを発表しました。新しいA2G22S160-01Sは、ワイヤレス基地局アプリケーション向けの30W/40Wアンプにおいて比類のない性能を実現します。フリースケールでは、セルラー市場向けにAirfastファミリGaNトランジスタ・ポートフォリオを幅広く展開する予定で、今回のデバイスは、その最初のメンバ製品となります。
RFパワー・トランジスタ市場のリーダーであるフリースケールは、GaN RFソリューションを加えることで、世界クラスのワイヤレス基地局市場向け製品ポートフォリオをさらに拡充します。フリースケールとしては、わずか数ヶ月前に、初の軍事/産業アプリケーション向けGaN RFパワー・トランジスタとなるMMRF5014Hを発表したところです。MMRF5014Hは、100WクラスGaNトランジスタとして、依然として業界トップの温度性能とワイドバンドRF性能を備えています。
フリースケールの上席副社長兼RF部門担当ジェネラル・マネージャであるポール・ハートは、次のように述べています。「フリースケールは、GaNの使い道を大きく変え、これまでのニッチ市場から、セルラー・インフラストラクチャといった主流アプリケーションへと導きます。そろそろ、フリースケールの広大な通信分野の顧客基盤に向けてGaNソリューションを提供しても良いころでしょう。フリースケールのセルラー分野のお客様は、A2G22S160-01Sの比類のない性能を活用できるだけでなく、フリースケールの優れた量産能力と世界規模のカスタマ・サポートも利用できます。」
GaNは、シリコンに比べてパワー変換効率やスイッチング速度、パワー密度の点で優れています。そのため、従来型のデバイスと比べて、サイズは大幅に小さいが性能は上回っているパワー・トランジスタが開発可能になります。このようなメリットは、広いバンド・ギャップ、優れた臨界電場、極めて高い電子移動度というGaNが持つ特性によって実現します。以前はGaNの用途拡大はあまりにも高くつきましたが、最近の商業的・技術的発展により、製造コストは着々と低下しています。長年にわたり半導体製造を牽引してきたフリースケールは、GaNのメリットを世界の巨大市場に向けて解き放ち、主流の民生用基地局市場においてGaNパワー・アンプの大規模な展開を実現します。
フリースケールのAirfast RFパワー製品ファミリは、600MHzから3.8GHzまで、ワイヤレス・セルラー帯域の全範囲をカバーし、さまざまな半導体技術の選択肢が用意されています。A2G22S160-01Sは、1800〜2200MHzの周波数範囲において次世代の性能を実現します。たとえば、40Wドハティ双方向非対称アンプにおいて、キャリア・パスでA2G22S160-01Sを1つ使用し、ピーキング・パスで2つ使用する場合、最大出力は56.2dBmになります。8dBの出力バックオフ（OBO）により、利得は15.4dB、効率は56.7％となります。総計40MHzのキャリア帯域幅となる2つの20MHz LTEキャリアで駆動した場合、隣接チャネル・パワー（ACP）は、デジタル・プリディストーション（DPD）により-55dBcとなります。
供給
A2G22S160-01S GaN RFパワー・トランジスタは現在、量産出荷中です。リファレンス・デザインや各種の開発ツール・ソリューションも用意されています。価格や詳細については、フリースケール・セミコンダクタまたはお近くの販売代理店にお問い合わせください。
フリースケール・セミコンダクタについて
フリースケール・セミコンダクタ(NYSE:FSL)は、セキュアな組込みプロセッシング・ソリューションによって”Internet of Tomorrow”（モノのインターネットの先にある、よりセキュアなIoTソリューション）を実現します。フリースケールのソリューションは、より革新的で、世界を繋ぎ、私たちの生活をシンプルで安全なものにします。また、世界的な企業の役割として、次世代のイノベータを育むために、科学・技術・工学・数学（STEM）教育に貢献することを約束します。詳細は、http://www.freescale.com/のWebサイトをご覧ください。
フリースケール・テクノロジ・フォーラムについて
フリースケール・テクノロジ・フォーラム（FTF）は、業界で最も包括的な組込みエコシステムをテーマに掲げ、10年間にわたってイノベーションとコラボレーションを牽引してきました。FTFが提供するのは、現在および将来のモノのインターネット化に欠くことのできないセキュアな組込みソリューションを設計および完成させるためのトレーニングと専門技術です。FTFでは、4日間にわたる詳細なトレーニング、ハンズオン・ワークショップ、フリースケールやエコシステム・パートナーによるデモンストレーションが開催されるほか、同業種や先進的な知見をもった人々とのコラボレーションが生まれるチャンスもあります。このフォーラムは世界中の開発者コミュニティから圧倒的な支持をもって受け入れられ、2005年に開催を開始して以来、世界中の参加者は67,500人を超えています。次回のFTFはテキサス州オースチンで2015年6月22日〜25日の日程で開催されます。
FreescaleならびにFreescaleのロゴマークはFreescale Semiconductor Inc., Reg. U.S. Pat. & Tm. Off.の商標、または登録商標です。AirfastはFreescale Semiconductor Inc.の商標、または登録商標です。文中に記載されている他社の製品名、サービス名等はそれぞれの所有者が権利を保有しています。
(C)2015フリースケール・セミコンダクタ・インク
2015年5月19日米国Freescale Semiconductor, Inc.発表本文の抄訳です。
アリゾナ州フェニックス（2015 International Microwave Symposium）-2015年5月19日-フリースケール・セミコンダクタ（NYSE：FSL）は、初のセルラー基地局向けGaN（窒化ガリウム）RFパワー・トランジスタを発表しました。新しいA2G22S160-01Sは、ワイヤレス基地局アプリケーション向けの30W/40Wアンプにおいて比類のない性能を実現します。フリースケールでは、セルラー市場向けにAirfastファミリGaNトランジスタ・ポートフォリオを幅広く展開する予定で、今回のデバイスは、その最初のメンバ製品となります。
RFパワー・トランジスタ市場のリーダーであるフリースケールは、GaN RFソリューションを加えることで、世界クラスのワイヤレス基地局市場向け製品ポートフォリオをさらに拡充します。フリースケールとしては、わずか数ヶ月前に、初の軍事/産業アプリケーション向けGaN RFパワー・トランジスタとなるMMRF5014Hを発表したところです。MMRF5014Hは、100WクラスGaNトランジスタとして、依然として業界トップの温度性能とワイドバンドRF性能を備えています。
フリースケールの上席副社長兼RF部門担当ジェネラル・マネージャであるポール・ハートは、次のように述べています。「フリースケールは、GaNの使い道を大きく変え、これまでのニッチ市場から、セルラー・インフラストラクチャといった主流アプリケーションへと導きます。そろそろ、フリースケールの広大な通信分野の顧客基盤に向けてGaNソリューションを提供しても良いころでしょう。フリースケールのセルラー分野のお客様は、A2G22S160-01Sの比類のない性能を活用できるだけでなく、フリースケールの優れた量産能力と世界規模のカスタマ・サポートも利用できます。」
GaNは、シリコンに比べてパワー変換効率やスイッチング速度、パワー密度の点で優れています。そのため、従来型のデバイスと比べて、サイズは大幅に小さいが性能は上回っているパワー・トランジスタが開発可能になります。このようなメリットは、広いバンド・ギャップ、優れた臨界電場、極めて高い電子移動度というGaNが持つ特性によって実現します。以前はGaNの用途拡大はあまりにも高くつきましたが、最近の商業的・技術的発展により、製造コストは着々と低下しています。長年にわたり半導体製造を牽引してきたフリースケールは、GaNのメリットを世界の巨大市場に向けて解き放ち、主流の民生用基地局市場においてGaNパワー・アンプの大規模な展開を実現します。
フリースケールのAirfast RFパワー製品ファミリは、600MHzから3.8GHzまで、ワイヤレス・セルラー帯域の全範囲をカバーし、さまざまな半導体技術の選択肢が用意されています。A2G22S160-01Sは、1800〜2200MHzの周波数範囲において次世代の性能を実現します。たとえば、40Wドハティ双方向非対称アンプにおいて、キャリア・パスでA2G22S160-01Sを1つ使用し、ピーキング・パスで2つ使用する場合、最大出力は56.2dBmになります。8dBの出力バックオフ（OBO）により、利得は15.4dB、効率は56.7％となります。総計40MHzのキャリア帯域幅となる2つの20MHz LTEキャリアで駆動した場合、隣接チャネル・パワー（ACP）は、デジタル・プリディストーション（DPD）により-55dBcとなります。
供給
A2G22S160-01S GaN RFパワー・トランジスタは現在、量産出荷中です。リファレンス・デザインや各種の開発ツール・ソリューションも用意されています。価格や詳細については、フリースケール・セミコンダクタまたはお近くの販売代理店にお問い合わせください。
フリースケール・セミコンダクタについて
フリースケール・セミコンダクタ(NYSE:FSL)は、セキュアな組込みプロセッシング・ソリューションによって”Internet of Tomorrow”（モノのインターネットの先にある、よりセキュアなIoTソリューション）を実現します。フリースケールのソリューションは、より革新的で、世界を繋ぎ、私たちの生活をシンプルで安全なものにします。また、世界的な企業の役割として、次世代のイノベータを育むために、科学・技術・工学・数学（STEM）教育に貢献することを約束します。詳細は、http://www.freescale.com/のWebサイトをご覧ください。
フリースケール・テクノロジ・フォーラムについて
フリースケール・テクノロジ・フォーラム（FTF）は、業界で最も包括的な組込みエコシステムをテーマに掲げ、10年間にわたってイノベーションとコラボレーションを牽引してきました。FTFが提供するのは、現在および将来のモノのインターネット化に欠くことのできないセキュアな組込みソリューションを設計および完成させるためのトレーニングと専門技術です。FTFでは、4日間にわたる詳細なトレーニング、ハンズオン・ワークショップ、フリースケールやエコシステム・パートナーによるデモンストレーションが開催されるほか、同業種や先進的な知見をもった人々とのコラボレーションが生まれるチャンスもあります。このフォーラムは世界中の開発者コミュニティから圧倒的な支持をもって受け入れられ、2005年に開催を開始して以来、世界中の参加者は67,500人を超えています。次回のFTFはテキサス州オースチンで2015年6月22日〜25日の日程で開催されます。
FreescaleならびにFreescaleのロゴマークはFreescale Semiconductor Inc., Reg. U.S. Pat. & Tm. Off.の商標、または登録商標です。AirfastはFreescale Semiconductor Inc.の商標、または登録商標です。文中に記載されている他社の製品名、サービス名等はそれぞれの所有者が権利を保有しています。
(C)2015フリースケール・セミコンダクタ・インク
SEO関連
